影响四氯化硅冷氢化系统连续运行的因素分析

针对某公司四氯化硅冷氢化工艺系统不能连续稳定运行的影响因素,进行分析探讨,提出改进意见建议,确保系统运行稳定及延长系统连续运行时间,提高产品质量,降低生产成本。可用于实际生产的指导或参考。

电子级多晶硅生产关键工艺控制

围绕生产电子级多晶硅关键工艺控制各环节,研究了如何生产出高品质电子级多晶硅产品。

数值建模在电子级多晶硅制备中的应用

利用化工模拟软件建立还原炉数值模型,通过还原炉炉内在各种条件下的温度场、流场模拟测试,得出最佳的运行工艺参数,形成完整的还原运行曲线。经实践检验,利用模拟工具得出的运行参数有利于电子级多晶硅的制备,建模工作在电子级多晶硅的生产上取得了很好的效果。

气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究

以1,2-二氯乙烷为内标,采用气相色谱-质谱(GC-MS)联用仪用内标法对多晶硅生产用高纯三氯氢硅(SiHCl3)中一甲基二氯硅烷、三甲基一氯硅烷、一甲基三氯硅烷及二甲基二氯硅烷4种杂质快速分离与测定。结果表明,4种甲基氯硅烷经毛细管柱在3min之内实现较好的分离,该方法重现性较好,可用于多晶硅生产用三氯氢硅中含碳杂质甲基氯硅烷的分析测定。

多晶硅冷氢化系统中重金属杂质的影响及去除

主要介绍了多晶硅行业冷氢化系统中重金属杂质对生产的影响,结合实际情况,探讨并分析其产生的原因,提出相应的解决措施,缓解了该系统中堵塞的问题。

新技术下金属材料成分分析技术发展前景

随着新时代的发展各种金属材料得以在各种行业中广泛运用,在工程建设、设备加工、航空运输等都有着很高的地位。所以为了的行业作业的有效展开,金属材料的分析利用就面临着极具的考验。如何利用新的技术分析金属成分使得,金属加工行业能够制作出更科学适合不同行业的新型金属材料。使得传统技术与新技术相互结合共同作用促进金属成分分析技术更成熟化的发展,使得相关金属成分分析人员的素质加强能适应时代的发展,使得国家的工程建设能够在全球化的建设下更具有竞争力。

低温加热挥发三氯氢硅-电感耦合等离子体质谱法测定三氯氢硅中痕量砷

采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)常规模式测定三氯氢硅中砷时,40 Ar35 Cl+会对75 As+的信号产生严重干扰,同时若直接进行测定,大量硅基体的存在不仅会有基体效应,也会造成对采样锥、截取锥和进样系统的堵塞,这些都给ICP-MS测定三氯氢硅中痕量砷带来了难题。实验利用石墨氮气挥三氯氢硅装置在50~90℃下对液体三氯氢硅样品进行挥发处理,以体积比为1∶1∶1∶8的氢氟酸-硝酸-过氧化氢-水为混合浸取液体对挥发后的样品残渣进行浸取,解决了因大量硅基体存在而引起的问题。同时,实验采用氢气-氦气混合碰撞/反应池模式,控制混合碰撞/反应气流速为6.0mL/min,消除了40 Ar35 Cl+对75 As+的干扰,最终实现了ICP-MS对三氯氢硅中痕量砷的测定。在优化的仪器条件下,测定砷标准系列溶液,以砷信号强度值与质量浓度进行线性回归,相关系数在0.999 0以上,方法的检出限为0.01ng/g。将实验方法应用于三氯氢硅样品中砷的测定,结果的相对标准偏差(RSD,n=11)在0.71%~7.1%之间,加标回收率为87%~105%之间。分别用微量移液器准确移取1.00、15.00μL砷标准储备溶液加入到超纯三氯氢硅中,配制成砷质量分数分别为2.00、30.00ng/g的2个三氯氢硅模拟样品,按照实验方法分别对这2个模拟样品中砷进行测定,测定值与理论值基本一致,相对误差的绝对值不大于1%。

高品质三氯氢硅中碳含量的控制

改良西门子法生产的多晶硅,其产品质量中碳杂质的一个重要来源是原料高品质三氯氢硅中的甲基氯硅烷,而四氯化硅冷氢化法生产的原料粗三氯氢硅,在精馏过程中较难脱除的甲基氯硅烷是甲基二氯氢硅和三甲基氯硅烷,在生产中,结合工艺流程优化控制方法,实现产品三氯氢硅中甲基氯硅烷的稳定控制。

二氯二氢硅对多晶硅生产的影响

二氯二氢硅是多晶硅生产中产生的主要副产物,其长期富集在生产系统会对质量、安全及系统稳定运行造成影响。通过分析二氯二氢硅的来源,并综合现有生产工艺特点,实现生产系统中二氯二氢硅的有效控制。

气相色谱在多晶硅生产过程中对中间过程物料分析检测的应用进展

气相色谱具有高灵敏度、高选择性、高效能、速度快、运用范围广等特点,在多晶硅生产过程中,气相色谱被大量运用于各生产工序物料的分析检测。文章简单介绍了气相色谱分析技术在多晶硅生产过程中对中间产物的分析运用实例。

气相色谱法测定多晶硅生产中氢化尾气组分含量

建立了气相色谱法测定多晶硅生产氢化尾气中组分含量的方法。采用双通道气相色谱仪,DB-1毛细管色谱柱进行分离,用单丝热导检测器进行检测。

12对棒多晶硅还原炉传热的数值模拟研究

对添加内衬的新型多晶硅还原炉内的传热过程进行数值模拟,分析了12对棒还原炉中内衬热导率、辐射率对多晶硅还原炉能耗及内衬表面温度的影响。结果表明:西门子还原炉的能耗随着内衬热导率、内衬发射率的增大而增大;内衬热导率的增加可降低内衬表面温度,而内衬辐射率的增大会导致内衬表面温度的增大;随着硅棒半径增大,外环硅棒的能量耗散量一直升高,内环硅棒的能量耗散量先升高后降低,西门子还原炉的总能耗先增大后减小;并且外环硅棒的能量耗散量比内环上的硅棒能量耗散量大。

ICP-MS法快速测定多晶硅表面八种金属杂质含量

使用硝酸、氢氟酸、过氧化氢和水的混合溶液浸取多晶硅表面金属杂质,无需赶尽氢氟酸,采用配备耐氢氟酸惰性进样系统的ICP-MS直接测定多晶硅产品中钠、铝、钾、铁、铬、镍、铜和锌8种表面金属杂质含量,结果表明该方法具有简便、快速、准确等特点,加标回收率为84.0%~110.6%,相对标准偏差(RSD)为3.79%~11.96%,检出限为0.003 ng/g^0.018 ng/g。

高压击穿在多晶硅生产中的应用

以我公司12对棒1至4号还原炉为例,介绍技改前卤素灯加热启动击穿在实际生产中遇到的问题,并与技改后高压击穿进行对比。说明高压击穿在多晶硅生产中的优点以及在生产中存在的问题,并提出相应的解决办法。

多晶硅产品中磁性物质成分及来源控制

改良西门子法生产多晶硅产品后处理工艺操作中,会引入Fe、Co、Ni、Cr、Zn等成分磁性物质,该磁性物质会随着多晶硅产品进入到下游铸锭工艺中,最终演变成为多晶硅产品中的体金属杂质,影响下游产品质量。目前,国内多数厂家产品中都会检测到磁性物质存在,已经成为一个共性问题,急需解决。

化工设备管理的重要性及其策略方法分析

化工产业生产过程中必定会使用大量的化工设备,因为化工设备是保证和提高化工生产效率的重要前提和基础,同时还直接关系到化工产业的生产质量,故长期以来都得到了化工生产人员及管理人员的重视。尽管如此,化工设备的应用过程中依然会出现一些问题影响化工生产效率及质量,所必须加强对化工设备的管理。

影响活性炭吸附塔吸附效果的因素分析

通过介绍干法尾气回收工艺流程、活性炭吸附塔的吸附原理,并分析影响活性炭吸附塔吸附效果的因素,并得出结论。

煤的工业分析

主要介绍煤的工业分析四项基本质量指标,进而探讨煤的质量受到这些指标的影响以及具体的检验方法,在此基础之上根据分析结果,对煤的种类、加工利用效果和工业用途进行初步判断。

对电气自动化控制系统在化工生产中的运用分析

自动化控制系统在当前化工生产系统应用中是较为重要的一种系统,自动化控制系统的应用实现了整个系统生产能力的提升。作为化工生产单位,应该按照生产管理工作开展需求,将整体的生产工作开展和电气系统自动化技术应用结合。鉴于此,论文针对电气自动化控制系统在化工生产中的运用进行了分析研究,希望在此研究帮助下,能够为化工生产技术控制中的自动化控制系统应用提供参考。

浅析循环流化床锅炉结焦事故原因及预防

循环流化床锅炉的特性具有对燃料适应性特别好、燃烧效率高、气体污染物排放低,负荷调节范围大,和灰渣综合利用等优点。近20年来特别是近4年来,在我国得到了突飞猛击的发展,我国循环流化床锅炉台数、总蒸发量为世界第一。随着循环流化床锅炉的迅速发展,具备了丰富的设计、制造、安装、调试和运行经验,但也暴露了一些问题,结焦事故是循环流化床锅炉运行中最为常见的问题,本论文提出了循环流化床锅炉结焦事故的原因、解决方法和预防措施,对我公司两台循环流化床锅炉今后正常运行预防事故的发生有参考作用。