本文通过无需催化剂的亲核取代反应获得了一种具有高度扭曲结构的多咔啉热激活延迟荧光(TADF)材料2,3,5,6-四(9H-吡啶并[2,3-b]吲哚-9-基)对苯二甲腈(4CbTPN)。该化合物在溶液和薄膜状态下的光致发光曲线的峰值分别在493和501nm处。较...本文通过无需催化剂的亲核取代反应获得了一种具有高度扭曲结构的多咔啉热激活延迟荧光(TADF)材料2,3,5,6-四(9H-吡啶并[2,3-b]吲哚-9-基)对苯二甲腈(4CbTPN)。该化合物在溶液和薄膜状态下的光致发光曲线的峰值分别在493和501nm处。较小的ΔEST,适度的光致发光量子产率(PLQY)和快速的反向隙间窜越速率(kRISC)实现了优秀的器件性能。基于26DCzppy主体的绿光TADF器件,可实现32.6 cd A^-1的电流效率(CE),25.6 lm W^-1的功率效率(PE)和12.9%的外量子效率(EQE),比之前报道基于4CzTPN的器件要高得多。这项研究表明,N-杂原子修饰可能会极大地影响能级分布和器件性能。展开更多
文摘本文通过无需催化剂的亲核取代反应获得了一种具有高度扭曲结构的多咔啉热激活延迟荧光(TADF)材料2,3,5,6-四(9H-吡啶并[2,3-b]吲哚-9-基)对苯二甲腈(4CbTPN)。该化合物在溶液和薄膜状态下的光致发光曲线的峰值分别在493和501nm处。较小的ΔEST,适度的光致发光量子产率(PLQY)和快速的反向隙间窜越速率(kRISC)实现了优秀的器件性能。基于26DCzppy主体的绿光TADF器件,可实现32.6 cd A^-1的电流效率(CE),25.6 lm W^-1的功率效率(PE)和12.9%的外量子效率(EQE),比之前报道基于4CzTPN的器件要高得多。这项研究表明,N-杂原子修饰可能会极大地影响能级分布和器件性能。
