磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。

黑色颜料的制备及其性能的研究

利用Co-Cr-Mn-Fe四元系颜料开发出陶瓷用黑釉配方,并在生产中试用,有烧成温度低,颜料与基釉的适应性好,黑釉烧成的合格率高等特点。