坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响

冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质,这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下,对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯。经对铸锭切片的电阻率测试得出:坩埚表面改性使冶金法多晶硅锭的电阻率得到了明显的提高,电阻率的最高值由原来冷凝速率为20μm/s时的110mΩ.cm提高到30μm/s时227mΩ.cm;经对铸锭切片的少子寿命测试得出:冶金法多晶硅的少子寿命在冷凝速率20μm/s时最高,坩埚表面改性使少子寿命由原来的0.81μs提高到1.91μs。

电子辐照BaF_2晶体的正电子寿命谱研究(英文)

用不同能量和注量的电子辐照BaF2∶Sr晶体,分别测量了辐照前后的正电子寿命谱和吸收谱。为了与正电子寿命谱结果对比,也测量了相应的荧光谱。结果表明,在能量为1.5MeV和1.8MeV,注量为1.25×1015到2.57×1016e-cm-2mai的电子辐照情况下,在BaF2∶Sr晶体中主要产生F-H对,F色心和其它一些由杂质引起的色心;辐照温度对这些色心的形成和演化过程有较大的影响。

强震地面运动理论研究的若干进展

简要地从理论地震学的角度回顾了强震地面运动的研究历史,重点介绍了震源过程、传播介质影响、场地效应、地震动估计以及强震地面运动预测这五个重要方面近年来所取得的研究进展,对有关研究内容进行概述和讨论,并提出一些需进一步研究的建议。