Sb掺杂SnO_2表面富集及电导率研究

采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了四方金红石Sb掺杂SnO2微晶粉体.电导率(σ)、结构表征(XRD)、XPS综合测试分析表明:n(Sb)∶n(Sn)、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的表面富集、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较大的影响.

湿化学法制备ATO/TiO_2导电复合粉体包覆机制的研究

采用湿化学共沉淀法,通过在TiO2颗粒表面包覆Sb掺杂SnO2(ATO)制备ATO/TiO2导电粉.运用TG-DSC、XRD、XPS、SEM、BET和电导率等手段对ATO/TiO2导电粉进行了表征.研究结果表明:锡锑混合物xSn(Sb)O2.yH2O以非晶态的形态靠范德华力与静电引力吸附在TiO2表面,煅烧过程中,xSn(Sb)O2.yH2O脱去结晶水吸附或鍵合在TiO2表面.随着TiO2颗粒表面包覆层ATO厚度逐渐增加,ATO/TiO2粉体的电导率逐渐增加.

湿化学共沉淀法制备Sb掺杂SnO_2粉体导电机理研究

采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,制备了Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电导率、XPS测试表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电导率的变化有较大的影响。Sb掺杂SnO2(ATO)的导电机理由有效施主Sb5+和有效氧空位共同控制。当低摩尔分数(小于12%)掺杂或低温煅烧(小于500℃)时,Sb3+→Sb5+,Sb5+/Sb3+>1,Sb5+逐渐占主导地位,ATO的导电载流子浓度主要由有效施主Sb5+提供;当高摩尔分数(大于12%)掺杂或高温煅烧(大于500℃)时,Sb5+→Sb3+,Sb5+/Sb3+≤1,Sb3+逐渐占主导地位,ATO的导电载流子浓度主要由有效氧空位提供。

煅烧温度对ATO/TiO_2粉体表面晶化及电导率的影响

用湿化学法在TiO2颗粒表面包覆ATO制得ATO/TiO2复合导电粉;运用TG-DSC、XRD、XPS、SEM、和电导率测试等手段对ATO/TiO2导电粉进行了表征.结果表明:煅烧温度对SnO2的晶化程度、Sb的价态、ATO/TiO2导电粉的导电性产生影响.电导率-温度(lnσ-T)关系呈抛物线(100～900℃):上坡段(150～400℃),温度增加,无定形SnO2逐渐晶化,电导率增加,导电性上升,溶入SnO2的Sb3+→Sb5+转变,载流子浓度加大,包膜层多孔结构逐渐致密化;底部平台(400～600℃),SnO2晶化结束,Sb3+→Sb5+转变趋于完成,电子散射趋于最低,电导率最大,导电性达到最佳;下坡段(600～900℃),Sb3+→Sb5+转变发生逆转,TiO2基体颗粒长大,锐态型向金红石型转变,破坏包膜结构,电导率上升,导电性恶化.

湿化学法制备ATO/TiO_2复合粉体电阻率及导电机理的研究

采用湿化学共沉淀法,在TiO2颗粒表面包覆ATO制备ATO/TiO2复合粉体。研究了复合粉体的形态结构、ATO含量对ATO/TiO2复合粉体电阻率的影响,并对导电机理进行了讨论。研究结果表明,ATO以非晶态的形态靠范德华力与静电引力吸附在TiO2表面,ATO含量决定TiO2颗粒表面能否形成完整的导电网络基本框架。渗滤阈值前(VC=0.0689),导电的ATO含量相对较少,ATO/TiO2复合材料电阻率大,导电连通网络尚未大范围形成,电阻率随ATO含量变化而变化的速度缓慢;达到渗滤阈值(VC=0.0689-0.1562)时,导电连通网络逐渐形成,ATO/TiO2复合材料电阻率随ATO含量变化而急剧变化;当体积分数超过0.1562时,ATO导电粒子含量很高,导电连通网络己经大范围形成,ATO/TiO2复合材料电阻率随ATO含量变化而变化的速度又趋缓慢。

刑事技术工作中的危害因素辨识及防护

本文详细描述了刑事技术工作(现场勘查和物证检验)中存在的危害因素,分析了危害因素的种类、发生场所、后果与危害发生的主要原因,以期为刑事技术部门领导和专业人员辨识有关危害因素提供翔实参考。本文分析了当前造成刑事技术工作中危害的主客观原因,进而对危害防护提出了建议,即刑事技术部门要建立健全危害因素防控监测制度;制定有效的安全预案,做好预防工作;加强安全教育与培训,加大安全保障经费和设施投入;提高待遇,稳定技术队伍。

制备工艺对ATO/TiO_2复合导电粉电导率的影响

用湿化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O、SbCl3 TiO2粉体等为原料,制备了电导率较好的ATO/TiO2复合导电粉,其体积电导率可达3.13×10-2(Ω.cm)-1,优化的工艺参数为:m(SnO2)∶m(TiO2)=25%、Sb的掺杂量m(Sb2O3)∶m(SnO2)=15%、包覆温度为60℃、pH值为2.0、搅拌速度为90 r/min、热处理煅烧温度为500℃。

Sb掺杂SnO_2表面富集光电子能谱研究

采用化学共沉淀法,以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,成功地制备了5～20 nm左右、四方金红石Sb掺杂SnO2(ATO)微晶粉体。电阻率,XRD、XPS综合测试分析表明:Sb掺杂量、煅烧温度对Sb在SnO2晶粒中的分布、Sb价态的存在形式、电阻率的变化有较大的影响。掺杂到SnO2粉体中的Sb含量,不会改变SnO2的四方金红石结构,一部分Sb原子固溶到SnO2晶格中,剩余的Sb原子向SnO2粉体表面富集,并取代SnO2表面的Sn原子,形成Sb富集层,相当于一层"栅栏",阻碍心部Sb原子向表面扩散,抑止掺杂SnO2(ATO)晶粒的长大。