磷及铟提纯方法研究进展

随着微电子信息通讯及半导体等尖端科技的迅猛发展,工业界对磷和铟高纯原料的需求量急剧增加,同时对其纯度的要求愈加苛刻。本文综述了这两类材料提纯技术的研究进展,并从材料科学、提纯技术及研究方法三方面对其未来发展提出了一些建议。

高纯无水三氯化铟制备关键技术与提纯方法

将常压蒸馏、减压蒸馏、溶剂纯化几种常规工艺联合,解决高纯无水三氯化铟制备中脱水、提纯等技术难题,最终确定了制备高纯无水三氯化铟的最佳优化参数:投料比(BUOH/结晶水)为35∶1、常压蒸馏温度125℃、分解温度230℃、分解时间1 h。真空升华提纯后可得到高纯无水三氯化铟,产率≥95%,纯度99. 999%以上。

多道次垂直区熔In-1%Sn合金过程的物理场数值模拟

利用基于有限体积法的Ansys Fluent软件对多道次垂直区熔In-1%Sn(质量分数)合金过程进行数值模拟,研究了熔区移动速率对熔体温度场、流场以及溶质场的影响。结果表明:在保持恒定加热温度(310℃)条件下,随着熔区移动速率从25μm/s降低至10μm/s,稳定阶段熔区高度从26 mm增加至30 mm,Sn元素大多富集在合金棒材顶端近壁侧区域,顶端负偏析区的形成源于反向双涡流熔体流动。In-1%Sn合金棒材经12道次区熔后,从底部开始85%高度区域内Sn元素分离比率从15.3%提高至27.8%,表明垂直区熔法在高纯铟提纯中具有较好的应用前景。