纳米SiO_2的制备及应用研究进展

简述了纳米SiO2的制备方法、制备原理以及在涂料、橡胶、纺织、陶瓷、生物和医学领域的应用情况,最后对纳米SiO2的研究方向进行了展望。

多形貌纳米银的研究进展

按粒子的维度分别介绍了纳米银的制备方法及研究现状。一维纳米银包括纳米线、纳米棒、纳米带、纳米管和纳米链;二维纳米银主要指纳米棱柱、纳米片和纳米盘;而三维纳米银则有纳米球、纳米树枝、纳米立方体、纳米十面体和纳米双棱锥等。提出了纳米银产业化进程中存在的一些问题,认为多形貌纳米银是实现未来纳米器件多功能化的重要材料。

氧化铝纤维制备研究进展

主要介绍了氧化铝纤维的制备方法,包括淤浆法、预聚合法、浸渍法、水热法、阳极模版法和溶胶-凝胶法等,分析了各类方法的特点,并对氧化铝纤维的发展提出了建议。

铝合金表面微弧氧化技术的研究现状及展望

微弧氧化技术是一种针对Al、Mg、Ti等阀金属及其合金进行表面陶瓷化的新技术。利用该技术可在铝合金表面原位生长一层致密、均匀、附着力良好的陶瓷膜层,大大改善铝合金的耐蚀、耐磨性能。综述了国内外铝合金表面微弧氧化技术的研究现状,概括了铝合金微弧氧化的基本原理、过程、工艺特点及影响因素;分析了铝合金微弧氧化技术目前尚存在的问题,并对该技术今后的研究方向进行了展望。

低温釉的研究进展

由于釉具有防污、防腐、装饰等作用,逐渐引起人们的重视。论文介绍了釉的结构,并重点介绍降低釉烧温度的现状,同时阐述了未来降低釉烧温度的发展趋势。

氧化镓的制备及其光学性质的研究

一维氧化镓半导体材料在光电子器件、发光材料、气体敏感器等方面有着广泛的应用前景而成为了当今纳米材料中研究的热点。本文主要介绍了用溶胶-凝胶法和水热法合成前躯体,并用高温固相法烧结后合成了单斜相β-Ga2O3纳米半导体材料,通过XRD,SEM等材料表征手段对两种方法合成出的样品进行物相分析、形貌和结构的测试,并且研究具有不同形貌Ga2O3的光致发光性质。

微弧氧化技术在摩托车关键零部件上的研究与应用

采用正交试验对AZ91D镁合金微弧氧化工艺参数及Na_2WO_4浓度进行了优化设计,利用SEM、EDS、XRD以及动电位极化曲线分析其微观形貌、组织结构和耐腐蚀性。结果表明,这种膜层的截面具有明显分层结构,外层疏松,内层致密;MAO陶瓷氧化膜主要由MgO、Mg_2SiO_4、MgAl_2O_4和MgWO_4以及少量非晶物质组成;最佳的微弧氧化工艺参数组合为300Hz、5.0A/dm2、50%/50%、Na2WO4浓度为2.0g/L。并在该条件下对镁合金摩托车关键零件进行了微弧氧化处理,所得的MAO膜层与基体相比其耐蚀性均有较大程度的提高,可有效保护摩托车零件免受腐蚀介质侵蚀,同时亦表明不规则零件表面形状亦对MAO膜层的形成及耐蚀性能有影响。

封装有机硅材料在LED电子器件中的应用进展

主要从有机硅改性环氧树脂材料、有机硅树脂封装材料和改性有机硅封装材料三个方面综述了近几年有机硅材料在LED封装中的应用及其进展。对LED电子器件的高透光率、高折光率、高导热率、耐黄变等方面与有机硅材料化学结构进行对比分析,总结其优缺点,提出有机硅材料在LED封装应用中出现了折射率低、粘度低等问题,解决这些问题可能是今后这一课题的研究重点。

不同浓度Eu^(2+)对CaSi_2O_2N_2∶Eu^(2+)荧光粉影响的研究

研究了以β-Si_3N_4为原料制备Eu^(2+)掺杂的CaSi_2O_2N_2∶Eu^(2+)荧光粉,并分析了这类荧光粉的结构特点,通过实验发现该荧光粉有很宽的激发带,可以被紫外和近可见光激发,发射出550~568nm波长的峰。Eu^(2+)与CaSi_2O_2N_2∶Eu^(2+)荧光粉的发光强度有着重要的联系。随着Eu^(2+)浓度的增加激发峰和发射峰都有一定的红移现象,当浓度超过2%时,该荧光粉的发光强度会有所下降,即出现一定的浓度猝灭现象。

我国稀土无机转光剂的研究进展

稀土无机转光剂具有同时转红光和蓝光的特性,其转光稳定性高,但专题综述未见报道。本文介绍了稀土无机转光剂的发光机理,并阐述了其光谱特性及在农膜应用中的性能。指出稀土无机转光剂在应用过程中存在的问题,提出开发新材料和改善材料表面化学性能的建议。

稀土荧光粉制备方法的研究进展

稀土荧光粉的研究对现代照明产业具有重要的意义。主要阐述了稀土荧光粉的发光特点,重点介绍了稀土荧光粉常用的几种制备方法。并对各种方法的特点进行比较分析,对合成复杂的稀土荧光粉的制备工艺过程提出了新的工艺改进方法。

非La-Co取代的高性能SrM永磁铁氧体的添加剂和工艺研究

为降低高性能永磁铁氧体材料的生产成本,以公司现有的Sr M铁氧体预烧料为原料,通过调整细磨时的添加剂和优化二次球磨工艺,在不添加La、Co等贵重金属的条件下,制备出Br=0.4215T,Hcb=308.5k A/m,Hcj=327.9 k A/m,(BH)max=33.94 k J/m3的材料,其性能达La-Co:Sr M的水平。

掺杂Mg^(2+)前后CaSi_2O_2N_2∶Eu^(2+)荧光粉发光性能研究

采用高温固相法制备CaSi_2O_2N_2∶Eu^(2+)荧光粉,由于其强度有待进一步提高,通过掺杂Mg^(2+)提高CaSi_2O_2N_2∶Eu^(2+)荧光粉的发光强度,并通过表征,分析掺杂前后发光强度的变化,晶相的结构情况和颗粒的形貌特点等。

水热-热分解法制备纳米氧化铝纤维及机理分析

采用水热-热分解法,以表面活性剂聚乙二醇（PEG-6000）作为模板导向剂,尿素作为沉淀剂,硝酸铝作为铝源,水热制备出碳酸铝铵（AACH）纤维,经过洗涤、抽滤、干燥、煅烧分解得到具有一定长径比的氧化铝纤维.通过改变反应温度,利用傅里叶红外光谱仪（FT-IR）、同步热分析仪（TG-DSC）、扫描电子显微镜（SEM）和电子能谱仪（EDS）对样品形貌、结构进行表征.实验结果表明,在水热反应温度为200℃时,得到AACH纤维,直径为80～100nm左右,长径比在20～25之间.经过1300℃煅烧后,得到与AACH形貌相同的氧化铝（Al2O3）纤维,其直径大约在80 nm,长径比分布在30～35之间.

Sr_3SiO_5:Eu^(2+),RE^(3+)(RE=Sm,Dy,Ho,Er)的表征及其在LED上的应用

采用高温固相法合成出系列黄光Sr3SiO5:Eu2+,RE3+(RE=Sm,Dy,Ho,Er)化合物,从XRD,荧光光谱以及热释光曲线方面系统研究其荧光、长余辉发光性质及其在固态照明(LED)上的应用。研究结果表明:利用某些三价稀土离子的共掺杂,获得荧光增强的高亮度橙黄色荧光材料Sr3SiO5:Eu2+,RE3+,并且观察到橙黄色长余辉现象(RE=Dy,Ho,Er);热释光谱的主峰位于100℃左右。将其和近紫外LED(～395 nm)或蓝光LED封装成高亮度橙黄光和白光LED,光效高达约40 lm.W-1以上。此化合物将在固态照明与显示、信息存储等方面获得应用。

Sr_(1-y)Eu_ySi_2O_(2-z)N_(2+2z/3)的发光性质及其在白光LED上的应用

采用高温固相法合成出系列黄绿色Sr1-yEuySi2O2-zN2+2z/3荧光材料,进行了光学性质表征并探索了其在LED上的应用。在Eu2+掺杂浓度为0～0.200范围内,所合成的化合物为系列色坐标可调的黄绿光-黄光连续固溶体,在250～500nm具有高的激发效率,激发和发射光谱位置及其发射强度随Eu2+浓度改变产生规律性变化;利用光谱理论系统研究了Eu2+的最低5d吸收能级、5d轨道重心移动、晶体场分裂和Stokes位移对激发和发射光谱位置、半峰全宽和荧光寿命的影响及其相互关系。该类荧光材料在77～425K具有良好的温度特性,425K时的发射强度为77K的58%左右。首次将它们和近紫外LED(～400nm)、蓝光LED(～460nm)封装成高亮度黄绿光和黄光LED以及白光LED,发光效率高达19lm/W,这些封装的LED的发光性能也随着Eu2+浓度,以及粉胶比例变化而呈规律性变化。

软模板法制备皂荚形貌银纳米粒子

利用软模板法制备了具有新颖皂荚形貌的Ag纳米粒子,其平均尺寸为60～70nm。钛酸丁酯和乙酰丙酮螯合而成的网络结构可指导一维Ag纳米粒子的生长。实验结果表明,反应温度和反应时间会影响皂荚形貌Ag纳米粒子的生长动力学过程。

白光LED用新型绿色荧光粉Ca_5(SiO_4)_2F_2∶Eu^(2+)的发光性能

采用高温固相法合成出系列绿色Ca5-xEux(SiO4)2F2荧光粉,并对其发光特性进行了研究。Eu2+离子在Ca5(SiO4)2F2基质中可被250～440 nm光有效激发发出绿光,适合作为UV-LED用绿色荧光粉。浓度猝灭实验结果表明,Eu2+离子的最佳掺杂摩尔分数为0.15,通过计算推测出Eu2+离子在Ca5-xEux(SiO4)2F2中的能量转移机制应该为偶极-偶极相互作用。温度猝灭特性表明,450 K时的发射强度约为10 K时的35%。不同温度下Eu2+离子的荧光寿命结果表明,随着温度的不断升高,荧光寿命不断缩短。

等量La-Zn替代对锶铁氧体结构和磁性能的影响

采用陶瓷工艺制备了La、Zn替代的Srl-xLaxFel2-xZnxO19(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)锶铁氧体,分析了La3+,Zn2+共同取代对锶铁氧体结构和磁性能的影响。X射线衍射分析表明,随着La3+、Zn2+离子替代量的增加,锶铁氧体主体仍为六角晶结构。通过扫描电镜对样品的形貌结构进行分析,测试结果显示铁氧体晶粒主要呈六角锶铁氧体结构;随着La3+、Zn2+取代量的增加,晶粒变得细小。磁性能测量显示,样品的Br随掺杂量的增加先增大后减小,当取代量x=0.15时,Br达到最大值。Hcb和Hcj则随着La3+、Zn2+掺杂量的增加迅速减小。这说明添加适量的La3+、Zn2+可以有效地提高材料的剩磁,但对永磁体的矫顽力有不利影响。

ZnO在超低温釉中的作用

将传统的降温方式和新的烧结理论相结合,进行探讨釉料中Zn O含量变化时对釉的DSC-TG图、SEM图、软化温度的影响。结果发现,在基础实验釉料的基础上,Zn O含量低于14.23%时,利于低温成釉,Zn O含量达到33.23%时,釉料难熔融,不利于成釉;SEM表征分析表明,釉料中Zn O含量为14.23%时,640℃烧结冷却,会有未熔融的石英颗粒出现,Zn O含量继续增加,640℃烧结冷却,会有大量不均匀的晶体出现;釉料软化温度测试结果表明,Zn O含量在7.5~14.23%间,釉料的软化温度几乎没有变化,Zn O含量为22~25%之间,釉料软化温度出现升高趋势,但Zn O含量达到33.23%时,釉料的软化温度出现急剧下降。