催化剂厚度对碳纳米管直径的影响

由于碳纳米管具有独特的结构和性能 ,因而自从被发现以来一直受到人们的关注。近年来 ,已利用各种方法成功地合成出碳纳米管 ,特别是利用化学气相沉积方法制备高度准直的碳纳米管。分析了该方法中催化剂厚度对碳纳米管直径的影响 ,利用负衬底偏压热灯丝CVD系统和不同厚度的NiFe催化剂在Si衬底上直接生长 ,并用扫描电子显微镜来研究碳纳米管的生长过程。结果表明催化剂颗粒封闭了碳纳米管的顶端 ,催化剂厚度对碳纳米管的直径有较大的影响 。

定向生长碳纳米管的研究进展

由于碳纳米管具有独特的结构和性能 ,因而自从被发现以来一直受到人们的关注。近年来 ,已利用各种方法成功的合成出碳纳米管 ,特别是利用化学气相沉积 (CVD)方法制备了高度准直的碳纳米管 ,实现了碳纳米管的定向生长 ,使得碳纳米管具有更加广泛的应用价值和研究价值。本文综述了近几年CVD定向生长碳纳米管的方法和生长机制 ,分析和讨论了不同制备方法对碳纳米管生长过程的影响 ,同时还着重分析了催化剂颗粒在碳纳米管的生长过程中对定向生长碳纳米管的作用。

辉光放电和压强对准直碳纳米管生长的影响

利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFe的Si衬底上制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研完了它们的生长和结构,结果表明辉光放电和压强对其生长和结构有极大的影响。若无辉光放电产生,碳纳米管是弯曲的,有辉光放电时,碳纳米管是准直的。当压强较大时,准直碳纳米管较容易生长,并且随着压强的减小,其平均直径减小和平均长度增大。但压强为5Pa时,准直碳纳米管却不能够生长。最后,分析和讨论了辉光放电和压强对准直碳纳米管生长和结构的影响。

负衬底偏压对碳纳米管生长的影响

利用负衬底偏压增强热灯丝化学气相沉积系统制备了碳纳米管。用扫描电子显微镜研究了碳纳米管的生长,结果表明碳纳米管的生长随着负衬底偏压的增大先增强,然后减弱,并且出现了部分准直的碳纳米管。分析和讨论了负衬底偏压对碳纳米管生长的影响。

辉光放电对负偏压增强热丝化学气相沉积碳纳米管的准直生长作用研究(英文)

利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下 ,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长。发现在无辉光放电的情况下 ,碳纳米管弯曲生长 ,而在辉光放电时 ,碳纳米管准直生长 ,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用。由于辉光放电的产生 ,在衬底表面附近形成很强的电场。相对无辉光放电时的电场 ,场强提高了两个数量级。本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用。