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题名深亚微米ASIC设计中的时序约束与静态时序分析
被引量:7
- 1
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作者
吴丹
刘三清
徐维锋
林昭昭
邹雪城
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
武汉亚芯微电子有限公司
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出处
《电子工程师》
2004年第3期16-19,22,共5页
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文摘
在现代深亚微米专用集成电路 (ASIC)设计流程中 ,为使电路性能达到设计者的预期目标 ,并满足电路工作环境的要求 ,必须对一个电路设计进行诸如时序、面积、负载等多方面的约束 ,并自始至终使用这些约束条件来驱动电路设计软件的工作。文中介绍了设计中所需考虑的各种时序约束 ,并以同步数字系列 (SDH)传输系统中 8路VC12 VC4E1映射电路设计为例 ,详细说明了设计中所采用的时序约束 ,并通过静态时序分析 (STA)方法使电路时序收敛得到了很好的验证。
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关键词
ASIC
时序约束
静态时序
专用集成电路
深亚微米
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Keywords
ASIC design, design constraint, timing constraint, static timing analysis (STA)
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分类号
TN402
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名静态时序分析在深亚微米ASIC设计中的应用
被引量:3
- 2
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作者
吴丹
刘三清
邹雪城
徐维锋
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
武汉亚芯微电子有限公司
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出处
《计算机与数字工程》
2004年第2期13-16,71,共5页
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文摘
作为分析和验证电路时序行为的新手段 ,静态时序分析 (STA)技术以其无需仿真、快速、占用内存少以及测试覆盖面全等优点越来越多的应用于现代深亚微来ASIC设计中。本文在介绍了STA基本概念的基础上 ,以SDH系统中 8/16 /32路E1映射 (E1mapper)芯片设计为例 ,对STA在设计中的具体应用及注意事项进行了详细说明。结果表明 。
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关键词
深亚微米
静态时序分析
时序约束
ASIC
STA
集成电路
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Keywords
Deep submicron,Static Timing Analysis (STA),Timing Constraint
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TP331
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名基于μC/OS-II的光盘伺服控制系统的设计
被引量:1
- 3
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作者
周云明
邹雪城
刘政林
邱收
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机构
武汉华中科技大学电子科学与技术系
武汉亚芯微电子有限公司
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出处
《电子技术应用》
北大核心
2004年第1期19-21,共3页
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文摘
介绍以Hitachi公司的H8S/2357F作为控制处理器,μC/OS-II作为嵌入式实时操作系统的光盘伺服控制系统的设计和实现。该设计可以实现CD-ROM、CD-R/RW和DVD的伺服功能,适用于光盘伺服控制系统,具有便于维护、易于扩展等优点,对于支持多格式光盘的驱动器和播放器的实现,具有重要的参考价值。
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关键词
μC/OS-Ⅱ
嵌入式实时操作系统
光盘伺服控制系统
光机电一体化
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分类号
TP333.4
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP273
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名用于实时时钟的高性能晶体振荡器
被引量:3
- 4
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作者
邹望辉
应建华
雷鉴铭
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
亚芯微电子有限公司
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出处
《计算机与数字工程》
2004年第6期78-81,共4页
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文摘
设计了一种用于实时时钟的高性能晶体振荡器 ,采用振幅控制的机制以达到高频率稳定性和低功耗的要求 ,分析了振幅控制的原理和实际电路的工作方式。电路在 0 .6umCMOS工艺上实现 ,测试结果表明电路达到了预期的设计要求。
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关键词
实时时钟
晶体振荡器
频率稳定性
低功耗
振幅控制
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Keywords
RTC,Crystal oscillator,Frequency stability,Low power,Amplitude regulation
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分类号
TN75
[电子电信—电路与系统]
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题名低噪声CMOS环型压控振荡器的设计
被引量:8
- 5
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作者
张涛
邹雪城
刘力
倪春波
陈朝阳
沈绪榜
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机构
华中科技大学图像信息处理与智能控制教育部重点实验室
武汉科技大学电信系
华中科技大学电子科学与技术系
武汉亚芯微电子有限公司
华中科技大学电子科学与技术系
西安微电子技术研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2004年第7期164-167,共4页
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文摘
应用增益补偿技术,设计了一种结构新颖的CMOS单端反相器环形压控振荡器,该电路具有较低的压控增益,较好的线性,较强的噪声抑制能力。采用1stsilicon0.25μmCMOS工艺进行仿真,结果显示:在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-108dBc。
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关键词
锁相环
压控振荡器
相位噪声
抖动
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Keywords
Phase locked loop, Voltage controlled oscillator,Phase noise,Jitter
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分类号
TN752
[电子电信—电路与系统]
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题名嵌入式存储器的内建自修复设计
被引量:6
- 6
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作者
吴志伟
邹雪城
雷鑑铭
刘勇
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机构
华中科技大学电子科学与技术系
亚芯微电子有限公司
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2007年第2期79-81,84,共4页
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文摘
目前,关于嵌入式存储器的内建自测试(MBIST)技术已经日趋成熟。基于这种背景,研究了一种高效的内建自修复(MBISR)方法,试验表明它具有低面积开销和高修复率等优点,保证了嵌入式存储器不仅可测,而且可修复,极大地提高了芯片的成品率。
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关键词
嵌入式存储器
内建自测试
内建自修复
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Keywords
Embedded memory
BIST
BISR
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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