期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性 被引量:1
1
作者 凌震 靳彩霞 +3 位作者 俞根才 王杰 沈孝良 张保平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期92-96,共5页
在GaAs(001)衬底上,用分子束外延方法生长MnTe薄膜和MnTe/ZnTe等超晶格,发现在MnTe外延层中可能出现的bcc晶畴,在超晶格中得到抑制,而且MnTe薄膜或超晶格中的MnTe层都不是严格的闪锌矿结构.... 在GaAs(001)衬底上,用分子束外延方法生长MnTe薄膜和MnTe/ZnTe等超晶格,发现在MnTe外延层中可能出现的bcc晶畴,在超晶格中得到抑制,而且MnTe薄膜或超晶格中的MnTe层都不是严格的闪锌矿结构.通过比较2K下MnTe/ZnTe和Zn0.84Mn0.16Te/ZnTe的低温光致发光谱和反射谱,发现MnTe/ZnTe的由应力造成的红移更大,半宽也增大。 展开更多
关键词 砷化镓 晶格生长 外延生长
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部