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GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性
被引量:
1
1
作者
凌震
靳彩霞
+3 位作者
俞根才
王杰
沈孝良
张保平
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期92-96,共5页
在GaAs(001)衬底上,用分子束外延方法生长MnTe薄膜和MnTe/ZnTe等超晶格,发现在MnTe外延层中可能出现的bcc晶畴,在超晶格中得到抑制,而且MnTe薄膜或超晶格中的MnTe层都不是严格的闪锌矿结构....
在GaAs(001)衬底上,用分子束外延方法生长MnTe薄膜和MnTe/ZnTe等超晶格,发现在MnTe外延层中可能出现的bcc晶畴,在超晶格中得到抑制,而且MnTe薄膜或超晶格中的MnTe层都不是严格的闪锌矿结构.通过比较2K下MnTe/ZnTe和Zn0.84Mn0.16Te/ZnTe的低温光致发光谱和反射谱,发现MnTe/ZnTe的由应力造成的红移更大,半宽也增大。
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关键词
砷化镓
晶格生长
外延生长
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职称材料
题名
GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性
被引量:
1
1
作者
凌震
靳彩霞
俞根才
王杰
沈孝良
张保平
机构
复旦大学应用表面
物理
国家重点实验室
复旦大学测试
中心
仙台物理化学研究所光动力学研究中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第2期92-96,共5页
文摘
在GaAs(001)衬底上,用分子束外延方法生长MnTe薄膜和MnTe/ZnTe等超晶格,发现在MnTe外延层中可能出现的bcc晶畴,在超晶格中得到抑制,而且MnTe薄膜或超晶格中的MnTe层都不是严格的闪锌矿结构.通过比较2K下MnTe/ZnTe和Zn0.84Mn0.16Te/ZnTe的低温光致发光谱和反射谱,发现MnTe/ZnTe的由应力造成的红移更大,半宽也增大。
关键词
砷化镓
晶格生长
外延生长
Keywords
Epitaxial growth
Molecular beams
Photoluminescence
Semiconducting films
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs(001)衬底上MnTe与相关超晶格的晶格生长和光谱特性
凌震
靳彩霞
俞根才
王杰
沈孝良
张保平
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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