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脉冲磁场处理对碳纳米管掺杂MgB_2线材临界电流密度的影响 被引量：2
1
作者 陈荣华 朱明原 +3 位作者 李瑛 李文献 金红明 窦士学 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期4878-4882,共5页
对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究.结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2—3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为M... 对碳纳米管(CNT)掺杂MgB2超导体磁场处理后的行为进行了研究.结果表明,CNT掺杂MgB2超导体经5T脉冲磁场处理后临界电流密度Jc(H)在低磁场下提高了2—3倍,高场下提高一个数量级以上,扫描电镜结果显示CNT沿着处理磁场方向规则排列并且成为MgB2基体的形核中心和高效的磁通钉扎中心. 展开更多
关键词 MGB2 碳纳米管 脉冲磁场处理
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