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一级磁结构相变材料Mn_(0.6)Fe_(0.4)NiSi_(0.5)Ge_(0.5)和Ni_(50)Mn_(34)Co_2Sn_(14)的磁热效应与磁场的线性相关性
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作者 张虎 邢成芬 +4 位作者 龙克文 肖亚宁 陶坤 王利晨 龙毅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第20期458-464,共7页
磁熵变(ΔS_M)与磁场(μ_0H)的相关性已在很多二级相变材料中被研究并报道,但一级相变材料的磁热效应与磁场相关性还少有报道.本文在具有一级磁结构相变的Mn_(0.6)Fe_(0.4)NiSi_(0.5)Ge_(0.5)材料中研究发现△S_M与μ_0H存在线性相关性... 磁熵变(ΔS_M)与磁场(μ_0H)的相关性已在很多二级相变材料中被研究并报道,但一级相变材料的磁热效应与磁场相关性还少有报道.本文在具有一级磁结构相变的Mn_(0.6)Fe_(0.4)NiSi_(0.5)Ge_(0.5)材料中研究发现△S_M与μ_0H存在线性相关性,并通过麦克斯韦关系式的数值分析详细讨论了这一线性相关性的来源.同时,进一步发现在低磁场时,△S_M近似正比于μ_0H的平方.该线性相关性同样在一级磁结构相变Ni_(50)Mn_(34)Co_2Sn_(14)材料中得到了印证.但由于一级磁弹相变LaFe_(11.7)Si_(1.3)材料相变温度具有更强的磁场依赖性,不具有△S_M的线性相关性,因此,本研究表明,当磁结构相变材料的相变温度具有弱磁场依赖性时,ΔS_M与μ_0H具有线性相关性.进而,在磁场未达到相变饱和磁场以下,利用ΔS_M与μ_0H的线性相关性可以有效推测更高磁场下的△S_M. 展开更多
关键词 磁热效应 磁熵变 磁结构相变
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360度无盲角位置检知传感器(YPS系列)关键技术研究
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作者 龙克文 刘利 《日用电器》 2017年第2期38-41,46,共5页
本文围绕"突破智能制造关键技术和核心部件课题"来探讨位置检知传感技术"磁敏元件"替代研究,立足于动作特性的结构设计,循序推进无磁敏元件、无内磁和360°无盲角检测的演进,在CMS系列和CPS系列产品基础上实现... 本文围绕"突破智能制造关键技术和核心部件课题"来探讨位置检知传感技术"磁敏元件"替代研究,立足于动作特性的结构设计,循序推进无磁敏元件、无内磁和360°无盲角检测的演进,在CMS系列和CPS系列产品基础上实现位置检知传感器整体国产化,解决位置传感的偏置问题和轴向、径向动作的无盲角检知。 展开更多
关键词 无盲角 位置检知 传感器 磁敏元件
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