激光诱导放电等离子体极紫外光源的研究

极紫外光源在半导体制造中的掩模检测、显微成像以及光谱计量等环节中有着重要的应用。激光诱导放电等离子体是产生极紫外光源的重要技术手段之一,搭建了一套二氧化碳激光诱导放电产生锡等离子体的实验装置,对产生的极紫外光谱进行了收集探测,并结合辐射磁流体动力学模拟对极紫外的辐射特性进行了分析。实验对比了激光等离子体和放电等离子体的极紫外辐射特性的区别,发现放电电压对激光诱导放电等离子体极紫外光的带内辐射强度有着重要影响。模拟发现,当电压为15 kV时,极紫外辐射总能量达到65.0 mJ,转化效率达到0.23%,光谱纯度达到1.69%。

微观结构对MOCVD制备氧化铬涂层氢渗透性能的影响

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在316L不锈钢表面分别制备了（110）择优取向和随机取向的氧化铬涂层。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射分析（XRD）分别对涂层的显微结构和相结构进行了表征。采用气相氘渗透方法对涂层的氢渗透性能进行测试。结果表明,择优取向的氧化铬涂层氢渗透率为P=4.58×10^-6exp（-112688/RT）（mol·m^-1·s^-1·Pa^0.5）,而随机取向的氧化铬涂层氢渗透率为P=1.20×10^-5exp（-102057/RT）（mol·m^-1·s^-1·Pa^0.5）。在873,923,973 K时,择优取向涂层的氢渗透阻挡因子（PRF）分别为38.2,21.1和13.1,而随机取向涂层的PRF仅为2.6,1.9和1.5。对涂层显微结构的分析表明,择优取向的氧化铬涂层晶粒规则排列,易于得到结构致密的涂层;而随机取向的涂层,晶粒排列杂乱无序,易在涂层中产生通孔等缺陷,使得涂层的氢渗透性能出现大幅降低。