后退火对In_xGa_(1-x)As单层量子点光学性质的影响(英文)

研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体，当铟的摩尔分数（ｘ）不同时，后退火对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３，０．３７，０．５０，１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和蓝移。对于ＧａＡｓ基体，在７００℃退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移与退火３０分钟相似；（仅当ｘ＝０．２３时，退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移小于３０分钟）。对于Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ基体，在７００℃退火３０分钟和９０分钟，其ＰＬ谱蓝移是不同的。