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金刚线切多晶硅片湿法黑硅技术研究进展
被引量:
1
1
作者
陈文龙
孟召标
《广东化工》
CAS
2017年第12期183-184,共2页
金刚线切多晶硅片技术能提高出片率、有效降低硅片生产成本;而湿法黑硅技术不仅能有效解决金刚线切多晶硅片表面反射问题,还能带来电池效率增益。本文研究了湿法黑硅技术的几种工艺路线、不同金属辅助催化体系、专利分布及产业化现状,...
金刚线切多晶硅片技术能提高出片率、有效降低硅片生产成本;而湿法黑硅技术不仅能有效解决金刚线切多晶硅片表面反射问题,还能带来电池效率增益。本文研究了湿法黑硅技术的几种工艺路线、不同金属辅助催化体系、专利分布及产业化现状,指出其具有良好的产业化前景。
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关键词
金刚线切
多晶硅片
湿法黑硅
下载PDF
职称材料
题名
金刚线切多晶硅片湿法黑硅技术研究进展
被引量:
1
1
作者
陈文龙
孟召标
机构
保利协鑫能源控股有限公司科技管理部
出处
《广东化工》
CAS
2017年第12期183-184,共2页
文摘
金刚线切多晶硅片技术能提高出片率、有效降低硅片生产成本;而湿法黑硅技术不仅能有效解决金刚线切多晶硅片表面反射问题,还能带来电池效率增益。本文研究了湿法黑硅技术的几种工艺路线、不同金属辅助催化体系、专利分布及产业化现状,指出其具有良好的产业化前景。
关键词
金刚线切
多晶硅片
湿法黑硅
Keywords
dialnond wire sawn
polycrystalline silicon wafer
wet black-silicon
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金刚线切多晶硅片湿法黑硅技术研究进展
陈文龙
孟召标
《广东化工》
CAS
2017
1
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