采用电子束探针测试(EBT)的IC单元设计验证技术

本文用电子束探针测试技术对ＩＣ单元电路进行了设计验证，包括功能验证和延迟参数的验证。快速准确地完成了电路内部的故障定位，完成了输入、输出的延迟测量及内部数门的延迟测量，测试结果准确可信。这一技术尝试，为集成电路的设计验证开辟了新的领域。

ASIC单元库建库方法的研究

介绍了 ASIC单元库的含义 ,阐述了建立 ASIC单元库的一般方法。基于 COMPASS的建库工具 Mercury,阐述了建立参数库的技术 ,并简单介绍了几种典型的 ASIC单元库及应用情况。

深亚微米生产线中的超纯水装置

本文依据深亚微米技术的要求，结合实例，扼要介绍这种世界的超纯水装置。讨论了TOC／DO或WC／Si低于1PPb和用水点无微粒的技术以及费用等项热点问题。

高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究

利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２，平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２，有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ，界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １，平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。

FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .

一种新的深硅槽工艺技术

提出采用离子注入方法提高主掩膜光刻胶的耐干法腐蚀和腐蚀窗口磋的腐蚀速率，实现了在比较简陋的干法腐蚀设备上采用反应离子腐蚀模式进行深／浅硅槽工艺。

国外EEPROM器件的可靠性增长与考核技术

分析了提高ＥＥＰＲＯＭ器件耐久性和保持特性的途径，提出了寿命预测的方法和保持特性的考核标准。

ASIC的技术发展与接口

本文首先介绍了专用集成电路（ASIC）的各种定义，接着综述了ASIC和FPGA的技术发展，分析了ASIC和FPGA的异同。在分析ASIC设计流程的基础上，给出了ASIC的各种接口。

时钟畸变对多级移位寄存器的影响及其消除技术

本文分析了时钟畸变对移位寄存器的影响 ,提出了几种消除技术 ,并分析了它们的适用场合。

IC设计中的封装问题

在IC设计中如果没有充分考虑封装需要，可能会带来一些问题，甚或影响IC性能。本文将讨论与IC设计有关的一些封装要求。

EEPROM单元阈值窗口退化及校正技术

本文首先定性分析陷阱电荷对EEPROM阈值电压窗口，然后给出了一种定量模型。还讨论了采用误差校正技术带来的EEPROM耐久性的提高。

扫描单元及其在ASIC可测性设计中的应用

本文首先论述 ＡＳＩＣ可测性的必要性，然后介绍了几种常见的扫描单元， 最后给出了多种选择触发器方法、时钟扫描方法、电平敏感扫描方法等几种内部 扫描方法。

带10组电话号码存储的音频/脉冲拨号器的快速测试技术

本文介绍了电话机拨号电路CSC91341AGP的测试原理和方法，重点介绍了该电路在DIC──8032大规模测试系统上的快速功能和参数测试技术。这些测试模式可用于其它同类拨号电路的测试，并对数模混合电路的测试提供了参考。