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HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系
1
作者
李效白
崔立奇
+1 位作者
张文俊
贾海强
《半导体情报》
1999年第2期33-38,共6页
给出了HEMT和PHEMT的数学-物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。
关键词
HEMT
PHEMT
模型
异质结
二维电子气
MBE
材料
下载PDF
职称材料
题名
HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系
1
作者
李效白
崔立奇
张文俊
贾海强
机构
信息产业部电子十三所专用集成电路国家重点实验室
出处
《半导体情报》
1999年第2期33-38,共6页
文摘
给出了HEMT和PHEMT的数学-物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。
关键词
HEMT
PHEMT
模型
异质结
二维电子气
MBE
材料
Keywords
HEMT PHEMT Model Hetero structure 2DEG MBE Material
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系
李效白
崔立奇
张文俊
贾海强
《半导体情报》
1999
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