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HEMT的材料结构和二维电子气浓度的关系
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作者 李效白 崔立奇 +1 位作者 张文俊 贾海强 《半导体情报》 1999年第2期33-38,共6页
给出了HEMT和PHEMT的数学-物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器件沟道电流之间的相互关系。
关键词 HEMT PHEMT 模型 异质结 二维电子气 MBE 材料
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