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GaAs 6位数-模转换器技术研究
1
作者
杨中月
梁玉英
+1 位作者
郝景晨
廉亚光
《半导体情报》
1999年第2期56-58,共3页
介绍一种GaAs6位数-模转换器(DAC)。时钟频率达到500MHz,采用全耗尽型GaAsMESFET制作,平面凹槽工艺,最小线宽1μm,输入与ECL电平兼容,输出能驱动50Ω负载,最大静态功耗900mW。
关键词
凹槽
数-模转换器
耗尽型
静态测试
DAC
砷化镓
下载PDF
职称材料
题名
GaAs 6位数-模转换器技术研究
1
作者
杨中月
梁玉英
郝景晨
廉亚光
机构
信息产业部电子十三所gaasic国家重点实验室
出处
《半导体情报》
1999年第2期56-58,共3页
文摘
介绍一种GaAs6位数-模转换器(DAC)。时钟频率达到500MHz,采用全耗尽型GaAsMESFET制作,平面凹槽工艺,最小线宽1μm,输入与ECL电平兼容,输出能驱动50Ω负载,最大静态功耗900mW。
关键词
凹槽
数-模转换器
耗尽型
静态测试
DAC
砷化镓
Keywords
Recess flute DAC Depletion mode Threshold voltage Static measurement
分类号
TP335.406 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TN792 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs 6位数-模转换器技术研究
杨中月
梁玉英
郝景晨
廉亚光
《半导体情报》
1999
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