一种新型真空微电子压力传感器的研制

采用各向异性腐蚀与各向同性腐蚀相结合的技术和特殊的硅 -硅键合技术 ,成功地研制出了一种新型真空微电子压力传感器。测试分析结果表明 ,该传感器反向击穿电压达到 1 0 0 V;在加 3V正向电压时 ,其单个锥尖发射电流为 0 .2 n A;在 2 5～ 1 0 0 g的压力范围内与输出电压呈线性关系 ,灵敏度为 0 .

低温陶瓷共烧技术——MCM-C发展新趋势

介绍了目前国际上厚膜混合工艺技术的动态 ,指出了低温共烧陶瓷技术 (LTCC)是MCM- C发展的重要趋势。探讨了国内 MCM- C技术的现状 ,认为必须同 IC技术保持紧密的联系 。

电荷泵高端浮动自举式H桥功率驱动电路

提出了一种可以实现极低频甚至是 0 Hz下的高压 H桥功率驱动电路的电荷泵高端浮动自举电路。通过理论分析、仿真和实验 ,证实了在保证驱动器的开关速度不变的情况下 ,该电路能提供稳定的高端浮动电源。同时 ,对 H桥功率驱动电路中高端浮动自举电路的设计方法也进行了探讨。

SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)

多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟

在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上 ,根据国内现有的双极工艺水平 ,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程 ,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图 ,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟。

大电流电感直流工作特性的改进

低压、大电流输出的电子设备要求直流滤波电感具有良好的直流工作特性。增大磁芯气隙可以明显地改善磁芯材料的磁化特性,扩大其恒导范围。本文通过分析气隙电感所存在的问题,在不改变滤波电感已有任何参数的情况下,采用在磁芯气隙中加入永磁体来产生反向预磁化,改变电感起始工作点,扩大磁芯的恒导工作范围,提高了电感的直流工作特性。测量结果表明这种方法具有较好的效果。

SiGe/Si异质结双极晶体管研究

介绍了一种 Si Ge/Si分子束外延异质结双极晶体管 ( HBT)的研制。该器件采用 3μm工艺制作 ,测量得其电流放大系数β为 50 ,截止效率 f T 为 5.1 GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的单片成品率在 90 %以上。

降低集成化平面螺旋电感寄生串联电阻的途径

对集成化平面电感的串联电阻对电感 Q值的影响进行了计算机模拟分析 ,结果表明 ,微型电感中的串联电阻对电感 Q值的影响严重 ,在电感的串联电阻大于 2 0 0Ω时 ,电感的 Q值下降到 1左右 ,已无法满足实际需要。围绕微型电感中对串联电阻起主要作用的导通电阻开展实验 ,得出了降低导通电阻的最佳工艺条件 。

大流量超纯氢气纯化设备制造技术

超纯氢气 (大于 6N)是半导体硅外延等工艺必备的工艺气体。文章介绍了利用超低温吸附的方法提纯大流量超纯氢气的工作原理 ,设备制造中的关键技术问题及难点 。

平板裂缝天线阻抗匹配设计的研究

本文对平板裂缝天线阻抗匹配设计方法进行了讨论。采用微波网络理论 ,在内部馈电情况下 ,分别对一条辐射波导上辐射裂缝的归一化导纳和为 2的匹配设计准则 ,以及对串 -并形式馈电装置 ,对耦合裂缝的归一化阻抗和为 2的匹配设计准则进行了证明。按照同样方法 ,对串-串、并 -串形式的馈电装置 ,导出了新的耦合裂缝匹配设计准则。

铝衬微波印制板高速铣削的切削力实验研究

铝衬微波印制板作为一种复合材料,其切削机制不同于一般的金属加工。该文通过对Rogers/Duroid(牌号为RT6010)铝衬微波印制板的高速铣削实验,用响应曲面回归分析方法研究了印制板高速铣削过程中切削力的主要影响因素及其规律。切削力回归方程与实验高度符合,运用该回归方程作出的响应曲面有助于合理选择铝衬微波印制板高速铣削加工切削参数。

一种低噪声大动态连续检波式对数放大器的设计

文章介绍了一种噪声系数低于 2 d B、动态范围大于 86 d B的低噪声大动态连续检波式对数放大器的设计原理 ,并给出了实验结果。该放大器可广泛应用于通讯、雷达、电子对抗等电子设备。

MCM计算机辅助设计技术

系统阐述了 CAD技术在 MCM设计中的作用、MCM CAD的环境及 MCM CAD的方法和流程 ,指出了目前国内外 MCM CAD技术的发展现状和发展趋势 ,分析了目前 MCM CAD设计技术的研究热点。

金丝球焊的工艺质量统计控制

金丝球焊键合工艺作为主要的内部引线互连工艺技术 ,广泛应用于单片集成电路 ( IC)及厚薄膜混合集成电路 ( HIC)中。在批量生产中 ,其键合质量直接影响产品的可靠性 ,文章探讨了在批量生产中如何使用质量统计控制方法对金丝球焊键合工艺进行及时有效的调整控制 ,使其在批量生产中的质量一致性满足产品质量可靠性要求 。

一种单片宽带真对数放大器的设计

介绍了一种单片宽带真对数放大器 SB5 3 1的设计原理及其应用实例 ,并给出了实验结果。该放大器可广泛应用于通讯、雷达、电子对抗以及各种放大和电子测量设备中。

微波铁氧体器件的控制及其应用

阐述了微波铁氧体器件在现代雷达中所起的重要作用,从外加磁场的角度对微波铁氧体器件进行了分类,对各种器件的控制方式进行了讨论,介绍了微电子技术在相控阵雷达中的应用。最后。

一种CMOS脉宽调制器的设计

设计了一种 CMOS脉宽调制器。介绍了 CMOS基准源的电路结构及工作原理 ,讨论了设计过程中需要解决的技术问题。给出了计算机模拟结果。

一种实用化的互补双极工艺技术

在3μm工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺(CB)。利用此工艺制造出特征频率分别为3.2GHz和1.6GHz的高性能NPN与PNP管,并成功地集成在压摆率高达2200V/μs的高速运算放大器芯片中。

多路大功率驱动放大电路的设计

介绍了一种多路大功率驱动放大电路。该电路由七组达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及箝位二极管网络构成,具有同时驱动七组负载的能力,是一种单片双极型大功率高速集成电路,适用于各类要求高速大功率驱动的系统。其工作电压大于50V,输出电流大于500mA,开态延迟时间小于1.0μs,关态延迟时间小于1.0μs,电流放大倍数大于1000,温度范围为-55～125°C。