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SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究
被引量:
1
1
作者
章晓文
恩云飞
+1 位作者
张鹏
叶兴跃
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期269-271,共3页
对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速...
对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同。建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。
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关键词
SDB/SOI
双极器件
失效机理
可靠性
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职称材料
有限元模拟技术在电子部件可靠性分析中的应用
被引量:
3
2
作者
何小琦
邱宝军
+1 位作者
宋芳芳
杨序贵
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期65-67,共3页
分析了有限元计算模拟技术在分析电子部件可靠性的优势所在,以及应用的基本方法,给出了行波管电子枪抗振性能和功率DC/DC电源热性能计算模拟的两个应用案例。
关键词
有限元
电子枪
固有频率
模块
结温
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职称材料
加强可靠性物理基础研究,提升应用技术能力
3
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期51-55,共5页
对研制生产、使用中元器件失效的原因和机理进行研究分析,提出改进措施,不断提高元器件可靠性是元器件可靠性科研和技术服务的任务所在。近年来元器件可靠性物理及其应用技术研究条件实现了跨越式发展,研究领域不断延伸、拓展,科研成果...
对研制生产、使用中元器件失效的原因和机理进行研究分析,提出改进措施,不断提高元器件可靠性是元器件可靠性科研和技术服务的任务所在。近年来元器件可靠性物理及其应用技术研究条件实现了跨越式发展,研究领域不断延伸、拓展,科研成果和应用技术支撑了元器件可靠性的提高。加强元器件可靠性基础研究,建设可靠性分析和评价公共技术平台是未来发展的目标。
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关键词
可靠性物理
可靠性应用技术
失效分析
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职称材料
电子元器件的贮存可靠性及评价技术
被引量:
3
4
作者
杨丹
恩云飞
黄云
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期71-74,共4页
贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面。阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。
关键词
贮存可靠性
长期自然贮存
极限应力试验
加速贮存寿命试验
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职称材料
VLSI失效分析技术研究进展
5
作者
费庆宇
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期60-64,共5页
根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法。通过一些失效分析...
根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法。通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性。
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关键词
大规模集成电路
失效分析
样品制备技术
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职称材料
多晶硅梁疲劳损坏特性的研究
被引量:
1
6
作者
余存江
唐洁影
+1 位作者
恩云飞
师谦
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1599-1601,1605,共4页
针对多晶硅的疲劳失效机理,人们已经提出了一些解释的模型.然而,到目前为止没有一种模型能够全面地阐述疲劳失效机理.本文旨在采用参量的渐变,如平均杨氏模量E,来反映MEMS多晶硅梁的疲劳.通过测试周期性载荷下双端固支梁结构的pull-in...
针对多晶硅的疲劳失效机理,人们已经提出了一些解释的模型.然而,到目前为止没有一种模型能够全面地阐述疲劳失效机理.本文旨在采用参量的渐变,如平均杨氏模量E,来反映MEMS多晶硅梁的疲劳.通过测试周期性载荷下双端固支梁结构的pull-in电压变化,确定杨氏模量E的变化,进而表征梁的疲劳失效状态.
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关键词
多晶硅
疲劳
MEMS
梁
杨氏模量
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职称材料
超深亚微米集成电路可靠性技术
7
作者
恩云飞
孔学东
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期56-59,共4页
就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品...
就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考。
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关键词
超深亚微米集成电路
可靠性
高K栅介质
金属栅
Cu/低k互连
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职称材料
贴片电容器失效分析
被引量:
4
8
作者
汪洋
何为
+2 位作者
莫云绮
林均秀
徐玉珊
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期74-76,共3页
采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。...
采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。
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关键词
电子技术
贴片电容
失效分析
外观检查
金相切片分析
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职称材料
PCBA-PTH焊点失效原因分析
被引量:
2
9
作者
贺光辉
罗道军
郑廷圭
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期78-80,共3页
介绍了一例典型的PCB过波峰焊后焊点润湿不良原因分析的案例。分析结果表明由于孔壁镀层厚度太薄、冲孔(钻孔)质量差以及孔焊盘锡铅镀层太薄等原因导致焊点润湿不良。
关键词
印制电路板
润湿不良
镀层厚度
钻孔质量
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职称材料
RoHS管理物质分析技术中的制样检测方法
10
作者
周翠凤
罗道军
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期75-77,共3页
对国内外在分析检测中受RoHS指令管理的有毒有害物质的制样检测技术进行了总结、分析与研究。在国际上尚未有统一的检测标准前,通过深入地了解RoHS指令的内容而形成了行之有效的检测分析制样检测技术。解决了广大电子电器企业的技术难题...
对国内外在分析检测中受RoHS指令管理的有毒有害物质的制样检测技术进行了总结、分析与研究。在国际上尚未有统一的检测标准前,通过深入地了解RoHS指令的内容而形成了行之有效的检测分析制样检测技术。解决了广大电子电器企业的技术难题,使其产品符合RoHS指令的技术要求。
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关键词
ROHS指令
均匀材料
制样检测技术
有毒有害物质
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职称材料
MEMS微悬臂梁在冲击下的粘附失效预测
被引量:
9
11
作者
王佩瑶
唐洁影
+2 位作者
余存江
恩云飞
师谦
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1602-1605,共4页
MEMS(Micro-electronics Mechanical System)的可靠性已经成为它能否成功地实现商品化的一个重要问题.多晶硅微悬臂梁是MEMS中的一个基本结构,阐述了多晶硅微悬臂梁的粘附失效机理,并利用宏观机械中的理论和可靠性分析方法对表面微加工...
MEMS(Micro-electronics Mechanical System)的可靠性已经成为它能否成功地实现商品化的一个重要问题.多晶硅微悬臂梁是MEMS中的一个基本结构,阐述了多晶硅微悬臂梁的粘附失效机理,并利用宏观机械中的理论和可靠性分析方法对表面微加工的多晶硅微悬臂梁的粘附可靠性进行预测,建立了在外载荷下的粘附可靠度预测模型,并利用该模型具体分析了微梁尺寸及外界湿度对可靠度的影响.
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关键词
MEMS
微悬臂梁
粘附失效
可靠度
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职称材料
题名
SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究
被引量:
1
1
作者
章晓文
恩云飞
张鹏
叶兴跃
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
华南理工大学物理科学与技术学院
模拟集成电路国家重点
研究
室中国
电子
科技集团公司第二十四
研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期269-271,共3页
基金
模拟集成电路国家重点实验室资助项目(51433020101DZ1504)
文摘
对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同。建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。
关键词
SDB/SOI
双极器件
失效机理
可靠性
Keywords
SDB/SOI
Bipolar deviee
Failure meehanism
Reliability
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
有限元模拟技术在电子部件可靠性分析中的应用
被引量:
3
2
作者
何小琦
邱宝军
宋芳芳
杨序贵
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
中山大学
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期65-67,共3页
文摘
分析了有限元计算模拟技术在分析电子部件可靠性的优势所在,以及应用的基本方法,给出了行波管电子枪抗振性能和功率DC/DC电源热性能计算模拟的两个应用案例。
关键词
有限元
电子枪
固有频率
模块
结温
分类号
TN605 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
加强可靠性物理基础研究,提升应用技术能力
3
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期51-55,共5页
文摘
对研制生产、使用中元器件失效的原因和机理进行研究分析,提出改进措施,不断提高元器件可靠性是元器件可靠性科研和技术服务的任务所在。近年来元器件可靠性物理及其应用技术研究条件实现了跨越式发展,研究领域不断延伸、拓展,科研成果和应用技术支撑了元器件可靠性的提高。加强元器件可靠性基础研究,建设可靠性分析和评价公共技术平台是未来发展的目标。
关键词
可靠性物理
可靠性应用技术
失效分析
分类号
TB114.3 [理学—概率论与数理统计]
下载PDF
职称材料
题名
电子元器件的贮存可靠性及评价技术
被引量:
3
4
作者
杨丹
恩云飞
黄云
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期71-74,共4页
文摘
贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面。阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。
关键词
贮存可靠性
长期自然贮存
极限应力试验
加速贮存寿命试验
分类号
TB114.3 [理学—概率论与数理统计]
TB24 [一般工业技术—工程设计测绘]
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职称材料
题名
VLSI失效分析技术研究进展
5
作者
费庆宇
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期60-64,共5页
文摘
根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法。通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性。
关键词
大规模集成电路
失效分析
样品制备技术
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TM621 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
多晶硅梁疲劳损坏特性的研究
被引量:
1
6
作者
余存江
唐洁影
恩云飞
师谦
机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1599-1601,1605,共4页
基金
国防科技重点实验室基金资助项目
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(51433030105JW0601)
文摘
针对多晶硅的疲劳失效机理,人们已经提出了一些解释的模型.然而,到目前为止没有一种模型能够全面地阐述疲劳失效机理.本文旨在采用参量的渐变,如平均杨氏模量E,来反映MEMS多晶硅梁的疲劳.通过测试周期性载荷下双端固支梁结构的pull-in电压变化,确定杨氏模量E的变化,进而表征梁的疲劳失效状态.
关键词
多晶硅
疲劳
MEMS
梁
杨氏模量
Keywords
polysilicon
fatigue
MEMS
beam
young's modulus.
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超深亚微米集成电路可靠性技术
7
作者
恩云飞
孔学东
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期56-59,共4页
文摘
就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考。
关键词
超深亚微米集成电路
可靠性
高K栅介质
金属栅
Cu/低k互连
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
贴片电容器失效分析
被引量:
4
8
作者
汪洋
何为
莫云绮
林均秀
徐玉珊
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
电子
科技大学应用化学系
珠海元盛
电子
科技有限公司技术
中心
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期74-76,共3页
文摘
采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。
关键词
电子技术
贴片电容
失效分析
外观检查
金相切片分析
Keywords
electron technology
chip capacitor
failure analysis
visual inspection
cross section analysis
分类号
TM53 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
PCBA-PTH焊点失效原因分析
被引量:
2
9
作者
贺光辉
罗道军
郑廷圭
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期78-80,共3页
文摘
介绍了一例典型的PCB过波峰焊后焊点润湿不良原因分析的案例。分析结果表明由于孔壁镀层厚度太薄、冲孔(钻孔)质量差以及孔焊盘锡铅镀层太薄等原因导致焊点润湿不良。
关键词
印制电路板
润湿不良
镀层厚度
钻孔质量
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
RoHS管理物质分析技术中的制样检测方法
10
作者
周翠凤
罗道军
机构
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2005年第B12期75-77,共3页
文摘
对国内外在分析检测中受RoHS指令管理的有毒有害物质的制样检测技术进行了总结、分析与研究。在国际上尚未有统一的检测标准前,通过深入地了解RoHS指令的内容而形成了行之有效的检测分析制样检测技术。解决了广大电子电器企业的技术难题,使其产品符合RoHS指令的技术要求。
关键词
ROHS指令
均匀材料
制样检测技术
有毒有害物质
分类号
TN606 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
MEMS微悬臂梁在冲击下的粘附失效预测
被引量:
9
11
作者
王佩瑶
唐洁影
余存江
恩云飞
师谦
机构
东南大学MEMS教育部重点实验室
信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第05A期1602-1605,共4页
基金
国防科技重点实验室基金资助项目:电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室项目(51433030105JW0601)
文摘
MEMS(Micro-electronics Mechanical System)的可靠性已经成为它能否成功地实现商品化的一个重要问题.多晶硅微悬臂梁是MEMS中的一个基本结构,阐述了多晶硅微悬臂梁的粘附失效机理,并利用宏观机械中的理论和可靠性分析方法对表面微加工的多晶硅微悬臂梁的粘附可靠性进行预测,建立了在外载荷下的粘附可靠度预测模型,并利用该模型具体分析了微梁尺寸及外界湿度对可靠度的影响.
关键词
MEMS
微悬臂梁
粘附失效
可靠度
Keywords
MEMS
Micro-cantilever
stietion failure
reliability
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究
章晓文
恩云飞
张鹏
叶兴跃
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
2
有限元模拟技术在电子部件可靠性分析中的应用
何小琦
邱宝军
宋芳芳
杨序贵
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
3
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职称材料
3
加强可靠性物理基础研究,提升应用技术能力
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
0
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职称材料
4
电子元器件的贮存可靠性及评价技术
杨丹
恩云飞
黄云
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
3
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职称材料
5
VLSI失效分析技术研究进展
费庆宇
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
0
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职称材料
6
多晶硅梁疲劳损坏特性的研究
余存江
唐洁影
恩云飞
师谦
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
7
超深亚微米集成电路可靠性技术
恩云飞
孔学东
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
0
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职称材料
8
贴片电容器失效分析
汪洋
何为
莫云绮
林均秀
徐玉珊
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
下载PDF
职称材料
9
PCBA-PTH焊点失效原因分析
贺光辉
罗道军
郑廷圭
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
2
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职称材料
10
RoHS管理物质分析技术中的制样检测方法
周翠凤
罗道军
《电子产品可靠性与环境试验》
2005
0
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职称材料
11
MEMS微悬臂梁在冲击下的粘附失效预测
王佩瑶
唐洁影
余存江
恩云飞
师谦
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
9
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职称材料
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