SDB/SOI双极器件失效机理与可靠性评价技术研究

对硅片直接键合/绝缘体上硅(SDB/SOI)双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下,研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明,电流放大倍数β与退化时间的平方根呈线性关系;不同的反向偏压下,退化的速度也不同。建立了器件的退化模型,对双极器件在使用条件下的可靠性进行了分析。

有限元模拟技术在电子部件可靠性分析中的应用

分析了有限元计算模拟技术在分析电子部件可靠性的优势所在,以及应用的基本方法,给出了行波管电子枪抗振性能和功率DC/DC电源热性能计算模拟的两个应用案例。

加强可靠性物理基础研究,提升应用技术能力

对研制生产、使用中元器件失效的原因和机理进行研究分析,提出改进措施,不断提高元器件可靠性是元器件可靠性科研和技术服务的任务所在。近年来元器件可靠性物理及其应用技术研究条件实现了跨越式发展,研究领域不断延伸、拓展,科研成果和应用技术支撑了元器件可靠性的提高。加强元器件可靠性基础研究,建设可靠性分析和评价公共技术平台是未来发展的目标。

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面。阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。

VLSI失效分析技术研究进展

根据近年来的实践,介绍了亚微米/深亚微米多层布线结构的VLSI的失效分析的关键技术和加快失效分析程序的方法。包括:先进的芯片剥层技术和局部剖切面技术、以失效分析为目的的电测试技术和故障定位技术及其简化方法。通过一些失效分析实例说明了研究上述关键技术的有效性。

多晶硅梁疲劳损坏特性的研究

针对多晶硅的疲劳失效机理,人们已经提出了一些解释的模型.然而,到目前为止没有一种模型能够全面地阐述疲劳失效机理.本文旨在采用参量的渐变,如平均杨氏模量E,来反映MEMS多晶硅梁的疲劳.通过测试周期性载荷下双端固支梁结构的pull-in电压变化,确定杨氏模量E的变化,进而表征梁的疲劳失效状态.

超深亚微米集成电路可靠性技术

就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考。

贴片电容器失效分析

采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。

PCBA-PTH焊点失效原因分析

介绍了一例典型的PCB过波峰焊后焊点润湿不良原因分析的案例。分析结果表明由于孔壁镀层厚度太薄、冲孔(钻孔)质量差以及孔焊盘锡铅镀层太薄等原因导致焊点润湿不良。

RoHS管理物质分析技术中的制样检测方法

对国内外在分析检测中受RoHS指令管理的有毒有害物质的制样检测技术进行了总结、分析与研究。在国际上尚未有统一的检测标准前,通过深入地了解RoHS指令的内容而形成了行之有效的检测分析制样检测技术。解决了广大电子电器企业的技术难题,使其产品符合RoHS指令的技术要求。

MEMS微悬臂梁在冲击下的粘附失效预测

MEMS(Micro-electronics Mechanical System)的可靠性已经成为它能否成功地实现商品化的一个重要问题.多晶硅微悬臂梁是MEMS中的一个基本结构,阐述了多晶硅微悬臂梁的粘附失效机理,并利用宏观机械中的理论和可靠性分析方法对表面微加工的多晶硅微悬臂梁的粘附可靠性进行预测,建立了在外载荷下的粘附可靠度预测模型,并利用该模型具体分析了微梁尺寸及外界湿度对可靠度的影响.