国外军用电子元器件可靠性技术研究进展

为了学习、吸收和借鉴国外的先进技术和经验,对国外军用电子元器件可靠性技术进行了跟踪研究,介绍了塑封微电路(PEM)、光电子等新的元器件的可靠性试验与评价技术、新的失效分析技术以及MCM、KGD、MEMS等新技术的可靠性研究现状,探讨了国外军用电子元器件可靠性技术的研究方向和发展趋势。

专业化、多元化的技术信息服务

近几年来,赛宝信息研究中心在科技情报、标准资料、专业期刊、网络技术、印刷等方面的各项业务都得到了很大的发展。今后仍将围绕五所的科研工作,从客户的利益出发,提供准确、及时、高效、优质的专业服务。

国外电子元器件可靠性试验情报跟踪

跟踪研究了近年来国外在电子元器件可靠性试验方面的发展现状与趋势,主要包括集成电路新的试验方法;大规模集成电路测试方面存在的问题和未来的发展方向;裸芯片可靠性试验技术的发展;MEMS新技术的可靠性发展现状等。

2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)

47.铜金属化中时间相关介质击穿的物理模型(APhysical Model of Time-Dependent Dielectric Break-down in Copper Metallization)——2003 Interna-tional Reliability Physics Symposium pp.282-286. 研究了铜互连介质击穿的物理模型,评价了关于Cu^+扩散和漂移的通用连通等式,开发了用于预计TDDB寿命的分析表达式。模型预计与不同电场和温度下的实验数据很吻合。寿命与加速应力下的电场指数成正比,与E模型一致。

2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(3)

41.超薄重新充氧氮化物的漏电流和可靠性评价以及与二氧化硅的比较(Leakage Current and Relia-bility Evaluation of Ultra-thin Reoxidized Nitride andComparison with Silicon Dioxides)——2002 Inter-national Reliability Physics Symposium pp.255—267.

2002年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(2)

22. 特邀论文:带铝盖铜垫的探测和线焊(InvitedPaper:Probing and Wire Bonding of AluminumCapped Copper Pads)-2002 International Relia-bility Physics Symposium pp. 140-143. 微电子制造已经开始发展并促进了用铜互连为首选金属的圆片制造工艺过程。由于裸铜线焊接被认为不是可靠和高产量的工艺过程,因而集成电路制造商在铜的顶部使用了铝盖,以方便焊接。