21世纪红外焦平面阵列技术

本文评述了进入二十一世纪初期的各种红外焦平面陈列技术的发展状况,包括焦平面探测器元的集成度、像元尺寸、阵列性能、成品率和成本等,分析了这种技术未来的发展趋势,讨论了第三代红外焦平面阵列技术的基本概念和轮廓。

PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列的市场前景

本文全面深入地分析了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的市场前景。从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi阵列与InSb和HgCdTe阵列技术作了详细的比较,评述了PtSi阵列技术的发展现状和面临的现实,分析了PtSi阵列技术的应用范围,目前面临的市场状况和可预料的今后时间内PtSi阵列技术的前景。