砷化镓晶片表面的XPS研究

用X射线光电子能谱分析技术 (XPS)研究了几种砷化镓抛光片及经不同表面处理方法处理的砷化镓晶片表面的化学计量比和表面化学组成。结果表明砷化镓抛光片的表面自然氧化层中含有Ga2 O3、As2 O5、As2 O3及元素As;表面化学计量比明显富镓 。

影响SI-GaAs单晶抛光片均匀性的因素研究

高度PLmapping均匀的SI GaAs单晶抛光片是制作大功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响SI GaAs单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀性以及PLmapping均匀性都有一定的影响 ;而晶体的AB EPD和抛光工艺对PLmapping均匀性影响更大 ,AB EPD与热处理工艺有关。对实验现象进行了解释。

X射线多重衍射的一些实验研究

使用在试样架上附加有Φ旋转装置的X射线粉末衍射仪,对Si(001)晶片和In1 -xAlxAs/GaAs一维超点阵样品,进行了一些X射线多重衍射实验研究,初步解释了所获得的多重衍射花样 ,得到了一些有关的结构信息。

用XPS研究Na_2S钝化的GaAs(100)表面

本文用Na_2S·9H_2O的水溶液及乙醇和异丙醇溶液对GaAs表面进行了钝化处理;用X射线光电子能谱仪(XPS)对钝化表面的化学组成和价态以及钝化层的厚度进行了研究。结果表明,经不同的Na_2S溶液处理后GaAs表面的自然氧化层会被除去,表面生成硫化镓和硫化砷;硫化物的含量与硫化层厚度与所用溶液的极性有关;并对钝化机理进行了探讨。

掺铥石英光纤的掺杂浓度实验研究

介绍了掺 Tm3+石英光纤的研究概况与溶液掺杂法的简要工艺过程。着重阐述了制备工艺中稀土离子溶液浓度对掺杂浓度的影响 ,Tm3+掺杂浓度与 Tm3+特征吸收峰值间的关系。关于最佳掺杂浓度问题也进行了初步讨论。

几种Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体材料的研究热点

本文分别介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合物砷化镓（ＧａＡｓ），氮化镓（ＧａＮ），锑化镓（ＧａＳｂ）的特性、生长方 法，国内外研究水平及应用。

GaSb体单晶的研究现状与展望

本文就ＧａＳｂ体单晶的材料特性和国内外研究现状展开论述，最后展望了该材料的发展前景。

硫系玻璃红外光纤的特性和应用研究

本文综述了硫系玻璃红外光纤的材料特性和应用研究 ,并展望了该材料的发展前景。

钆镓石榴石(GGG)体单晶的研究状况

本文综述了ＧＧＧ体单晶在材料特性及应用方面的研究状况，并展望了该材料的发展前景。

半导体抛光晶片缺陷的光学无损检测研究

抛光晶片缺陷检测是半导体材料生产和器件生产中的一个重要环节,晶片质量及器件成品率与缺陷检测的成功与否有着相当重要的关系。本文重点介绍了利用我国古代劳动人民发明的透光镜原理建立的抛光晶片激光无损缺陷检测技术和相应的仪器系统,并对一系列缺陷的测试和实验分析结果进行了相应的讨论。

砷化镓半导体表面自然氧化层的X射线光电子能谱分析

用X射线光电子能谱 (XPS) ,测量了Ga3d和As3d光电子峰的结合能值 ,指认了砷化镓 (GaAs)晶片表面的氧化物组成 ,计算了表面氧化层的厚度 ,定量分析了表面的化学组成 ;比较了几种不同的砷化镓晶片表面的差异。结果表明 :砷化镓表面的自然氧化层主要由Ga2 O3 、As2 O5、As2 O3 和单质As组成 ,表面镓砷比明显偏离理想的化学计量比 ,而且 ,氧化层的厚度随镓砷比的增大而增加 ;溶液处理后 ,砷化镓表面得到了改善。讨论了可能的机理。

二次离子质谱的深度分辨本领

深度剖析是二次离子质谱在半导体以及各种其它薄膜材料分析中最重要的应用 ,深度分辨本领是表征其分析能力的重要参数 ,国际标准化组织 ( ISO)最近正在研究和制定这方面的国际标准。本文在概述了SIMS深度分辨本领影响因素的基础上 ,推导了δ掺杂层深度分辨函数的解析表达式 ,讨论了其物理意义 ,特别是分辨参数的定义。在 CAMECA IMS4 f仪器上用 5.5ke V的氧束对 Si中 Ga Asδ掺杂多层膜样品进行了深度剖析 ,讨论了所得分辨参数及影响因素。结合国外实验室 ISO巡回测试的结果 。

掺镱双包层结构石英光纤的优化设计及制作

文章主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺Yb3+双包层结构石英光纤的优化设计、原理及制作工艺.制作出Yb3+掺杂浓度高(吸收损耗在976nm时为2～10dB/m)、本底损耗低(在1.3μm时为10dB/km)的掺Yb3+双包层结构石英光纤.

VGF结晶法中砷化镓表面平衡温度的计算

根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型,并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解. 模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律,与设定值比较具有良好的一致性. 所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据.

离子色谱法测定石英微粉水萃取液中的Cl^-

建立了离子色谱法测定石英微粉水萃取液中Cl^-的方法。比对试验证明,该方法的精密度和准确度与经典方法无显著性差异,而且简便、快捷,检测时间从4h缩短到15 min。

FAAS法测定高纯铝丝中的铁、铜、锌、锰和镁

本文提出了高纯铝丝中的铁、铜、锌、锰和镁的火焰原子吸收测定方法,对基体及共存离子对待测元素的干扰及消除进行了研究,实验结果表明:方法简单、快速,加标回收率为95.0％～105％,相对标准偏差为1.51％～5.26％。

红外电解质包层金属空芯波导的制备

介绍了用液相化学法制作红外电解质包层金属空芯波导的工艺及传输原理。我们制备了在 1 0 .6μm透过率每 0 .5 m达到 79.95 %的红外电解质包层金属空芯波导。对制作中出现的现象及测量结果进行分析。

富铝莫来石相的XRD定量

本文利用已发表的单晶莫来石相的结构数据,分析了莫来石相计算衍射峰强度随铝硅原子比的变化,找到了强度不受铝硅原子比影响的组合衍射峰,100％(110)+56％[(120)+(210)],实现了富铝莫来石的定量。

圆形电介质包层金属空心光纤

综述了圆形电介质包层金属空心光纤的材料特性、制作工艺与应用 。

实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量系统

实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量分析软件是WQF系列傅立叶变换红外光谱仪的中文显示专用软件,主要用于硅单晶(直拉硅、区熔硅)中氧、碳含量测量。