微波退火条件下镍和锗锡合金反应的形貌研究

为了研究高质量镍锗锡薄膜的制备方法,在不同微波退火温度下进行了锗锡合金与镍的固相反应。借助四探针方块电阻测试、原子力显微镜、透射电子显微镜、能量色散X射线光谱等表征手段,分析了在微波退火条件下100~350℃所生成镍锗锡化物样品的形貌。研究结果表明:镍锗锡化物的表层电阻、表面粗糙度及薄膜质量与微波退火温度紧密相关,在250℃退火条件下得到了连续平整的镍锗锡薄膜,锡偏析在镍锗锡/锗锡的界面;在350℃退火条件下,薄膜的连续性遭到破坏,表面粗糙度变大,锡偏析在样品的表面和镍锗锡/锗锡的界面。与常规快速热退火方式相比,本文采用的微波退火方式,可在相对更低的温度得到高质量的镍锗锡薄膜,降低了镍与锗锡衬底反应所需的热预算。

栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。

双模冗余汉明码的设计与验证

集成电路芯片工作在电磁环境复杂的空间环境中,容易受到高能粒子的影响发生软错误.在芯片内,存储单元所占面积超过一半以上,对存储器单元进行加固是提升芯片可靠性的重要途径之一.因此,本文对汉明码做出改进,提出了一种双模冗余汉明码,该方法能够修正存储单元中出现的一位翻转和两位翻转.首先,对汉明码编码模块进行逻辑优化,有效减少了编码电路的延迟,再把该模块生成的校验码进行双模冗余处理,作为双模冗余汉明码编码模块的输出.之后依据汉明码解码规则分别对每份校验码与原码的组合进行处理,得到修正后的数据位与两位翻转标志位.通过分析发现当两位翻转未同时发生在原码内时,可以依据两位错误标志位的值得到正确的输出.最后,采用版图分割技术消除了两位原码同时翻转的情况,进一步提高了存储器的可靠性.在本文中,分别实现了字长为4、8和11的双模冗余汉明码,并与其它修正码的性能进行比较,结果表明:它们的电路延迟分别为8位字长汉明码的85%、89%和96%,低于两位修正能力的BCH码.