硫化时间对铜锌锡硫薄膜特性的影响

用金属预制膜硫化法制备铜锌锡硫薄膜，分别采用了60，90，120和180min的硫化时间进行硫化，考察了硫化时间对制备的Cu2ZnSnS4（CZTS）薄膜特性的影响。研究得出：在四种硫化时间下均能得到主要组成相为CZIS的薄膜，薄膜成分基本一致，晶粒尺寸均接近2μm。但不同硫化时间下得到的薄膜的相组成和沿厚度方向的成分分布不同。硫化时间为60～120min时薄膜内除主要组成相CZIS之外有少量SnS存在，硫化时间延长至180min时不再有SnS但开始有少量ZnS出现，这一转变与硫化过程中Sn的流失有关。硫化时间为60，90和180min时薄膜中均出现了Cu和盈在薄膜厚度方向的分布不均，Cu易于在表面富集，办易于在薄膜中部富集。硫化时间为120min时能得到Cu、Zn、Sn、S均沿厚度方向均匀分布的薄膜。

磁控溅射制备Nb掺杂IZO薄膜光电学性能研究

通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO)。运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能。光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO(IGZO)具有更低的深能级缺陷密度。Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件。INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序。提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显。

磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究

采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响。结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电流不敏感,而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率。随着氧气流量的增加,薄膜的载流子浓度先增加后减小,而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加。透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90%以上。