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准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究
1
作者
田文彦
曾传相
+3 位作者
潘大任
谢辉
周业为
谢健
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992年第4期568-571,共4页
80年代,准分子激光一出现,世界上各先进国家就开展了准分子激光光刻的研究工作。目前,美、日等国准分子激光光刻水平已低于0.4μm的分辨率。他们研究中采用准分子激光多为KrF和XeCl激光,光致抗蚀剂有MP2400,PMMA,PMGI和NOVOLAK等,XeCl...
80年代,准分子激光一出现,世界上各先进国家就开展了准分子激光光刻的研究工作。目前,美、日等国准分子激光光刻水平已低于0.4μm的分辨率。他们研究中采用准分子激光多为KrF和XeCl激光,光致抗蚀剂有MP2400,PMMA,PMGI和NOVOLAK等,XeCl激光暴光时采用的是重氮型光刻胶AZ2400。我们采用XeCl准分子激光(波长为308nm)对美国正胶AZ1350SF进行光刻研究,研究中获得一些重要实验结果。
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关键词
准分子激光
光刻
正胶
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职称材料
题名
准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究
1
作者
田文彦
曾传相
潘大任
谢辉
周业为
谢健
机构
四川大学
光
电
科学技术
系
光四川大学电科学技术系
出处
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992年第4期568-571,共4页
文摘
80年代,准分子激光一出现,世界上各先进国家就开展了准分子激光光刻的研究工作。目前,美、日等国准分子激光光刻水平已低于0.4μm的分辨率。他们研究中采用准分子激光多为KrF和XeCl激光,光致抗蚀剂有MP2400,PMMA,PMGI和NOVOLAK等,XeCl激光暴光时采用的是重氮型光刻胶AZ2400。我们采用XeCl准分子激光(波长为308nm)对美国正胶AZ1350SF进行光刻研究,研究中获得一些重要实验结果。
关键词
准分子激光
光刻
正胶
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
准分子激光光刻AZ1350SF正胶的实验研究
田文彦
曾传相
潘大任
谢辉
周业为
谢健
《四川大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1992
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