国际光学信息科学与技术会议概况

光学信息科学与技术国际学术会议1997年8月26至30日在莫斯科召开。来自22个国家的210多位科学家,分别在大会、分会和专题讨论会上发表论文266篇。分会的主题是光学存储和神经网络,光学生物电子学和生物计算,光存储机制和材料,计算机光学和衍射光学元件。随着信息时代的发展,对信息的获取、存储、处理、传输与显示的方法和技术提出厂越来越高的要求。为满足这些要求,在发展现代电子和电子计算机科学与技术的同时,人们对光学信息科学与技术也有极大的兴趣。这是因为,由光束、光波或光子作为信息的载体时,不仅信息容量大、传播速度快,而且并行性高、互连能力强,存在着巨大的潜在优势。在这次会议上,近三分之一的论文是关于光学存储和神经网络的。

全光纤调Q激光器的实验研究

介绍了一种采用马赫－曾特尔干涉仪结构实现调Ｑ的光纤激光器．其中，马赫－曾特尔干涉仪由两个３ｄＢ耦合器和两段光纤（作为干涉仪的双臂）构成．在泵浦功率为３０ｍＷ时，得到了稳定的激光输出，最高脉冲功率达２．６Ｗ，平均功率为１ｍＷ．当重复频率低于１ｋＨｚ时，在１５５７ｎｍ波长处得到光脉冲，半宽为４．２μｓ．此外，在调Ｑ脉冲包络内观察到了自锁模现象．

用于光学信息处理的WTA电子网络的实现及其特性分析

给出了一种光信号处理用ＷＴＡ电子网络的实现方法，测试了网络的灵敏度，并分析了可能对其产生影响的因素，制作了３２单元的ＷＴＡ网络器件。网络能在几百微秒的时间内找出输入最大者，分辨精度为１ｍＶ。

光电成像系统中的光学传递函数

本文研究了光电成像系统中的光学成像、抽样和重建等各个过程对整个系统的光学传递函数的影响。分析了光电成像系统在积分抽样和图像运动情况下的光学传递函数，重建图像中的频谱混叠和假响应情况，由此给出光电成像系统获取图像的一些原则。

Al:Ti合金栅a-Si TFT研究

本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的相近．Ti的加入使Al∶Ti合金惰性增强，有效地抑制了小丘（Hillock）的产生和阳极氧化时的被腐蚀现象．采用Al∶Ti合金栅和Al2O3／SiNx双层绝缘层的a-SiTFT有着与采用Ta栅和单层SiNx绝缘层的a－SiTFT相近的I－V参数，但前者稳定性明显提高．经+10V栅偏压处理1小时，未见VT漂移．这种双层冗余技术还能有效提高成品率．

有机非线性光学晶体——3.5-二硝基苯甲酸·二乙醇胺

本文进行了３．５－二硝基苯甲酸（３．５－ＤＮＢＡ）与二乙醇胺（ＤＥＡ）单晶体的形貌分析，和热化学分析；测定了晶体的透过波段与晶体结构，并测试了晶体的二次谐波强度。

Ce∶KNSBN光折变类光纤简并四波混频特性研究

研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤在泵浦光和信号光夹角分别为小角度和大角度两种情况下简并四波混频的基本特性 .当夹角较大时 ,在光折变类光纤内部形成了两个四波混频作用区域 ,获得了比小角度情况提高 4倍的大相位共轭反射率 .给出了Ce∶KNSBN光折变类光纤中 ,在入射夹角分别为小角度和大角度两种情况下 ,相位共轭光反射率分别随信号光光强、两束泵浦光光强比变化的实验结果 ,并用理论公式进行了拟合 ,理论分析和实验结果相符 .还研究了Ce∶KNSBN光折变类光纤四波混频光栅模式和相位共轭光时间响应特性 .光折变类光纤的相位共轭响应时间较快 ,可为秒量级 .

a-SiGe_x∶H薄膜准分子激光晶化的研究

用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a－SiGex∶H样品进行退火。只要激光退火能量密度合适，Ge含量不同的a－siGex∶H薄膜都可以被多晶化；随着Ge含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火能力也降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ge含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。

有机非线性倍频晶体间硝基苯甲酸·二乙醇胺的研究

本文报道了间硝基苯甲酸（ｍＮＢＡ）·二乙醇胺（ＤＥＡ）单晶体在不同环境下的生长习性以及对该晶体形貌的影响。测定了该晶体及两种原料的红外光谱，同时讨论了晶体的差热分析、透光波段以及初步测定了晶体的二次谐波强度。

Poly-Si TFT理论模型的研究

建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了有效迁移率，推导出了ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ电流电压关系的解析式。

a-SiTFT/PIN图像传感器件

在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx,a- Si

用多重交织抽样方法消除频谱混叠

光电成象系统的抽样过程引起图象频谱分布在频谱空间的无限重复，如果抽样过程不满足系统的Ｎｙｑｕｉｓｔ条件，相邻的频谱项就会产生混叠，本文提出用多重交织抽样的方法来消除频谱混叠现象，用光学传递函数方法论述了这种方法的原理，并进行了误差分析。

poly—Si TFT 制作工艺探索

对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。

采用液晶神经元阵列的光电神经网络系统

采用液晶神经元阵列的光电神经网络系统张延忻郭转运王勇竞（南开大学现代光学研究所、光学信息技术科学开放研究实验室天津３０００７１）神经网络中神经元的运算功能主要是加、减与非线性输出。光学技术有大规模加权互连与并行求和的优势，但是难以实现相减和非线性运算...

窄线宽可调谐半导体激光器

研究了一种利用光栅弱耦合外腔改善可见光半导体激光器性能的方法，并对６５０ｎｍ半导体激光器进行了实验，外腔镜由一个闪耀光栅构成，通过转动光栅角度，获得了窄线宽单模激光输出，谱线宽度０．１ｐｍ，线宽压窄比达９８００，边模抑制比＞２０。

光电成象系统中的积分抽样效应

光电成象系统涉及空间和时间上的积分和抽样．本文从理论上研究了光电成象系统中的抽样的空间积分效应和前置光学滤波的影响．结果发现前置光学滤波可以等效为抽样象元的空间积分抽样效应．这一原理对设计光电成象系统具有指导意义．利用这一原理也可以改善光电成象系统获取图象的质量．

多重交织抽样消除光电成像系统中的高阶残余频谱

光电成像系统的抽样过程引起图像频谱分布在频谱空间无限重复，即使抽样过程满足系统的Ｎｙｑｕｉｓｔ条件，即无频谱混叠，但在重建过程中，如果电子滤波的频率响应范围较宽，不能对高阶频谱项截止，它对高阶重复的频谱项的衰减所产生的残余频谱会在重建图像中产生假响应。本文提出用同一图像进行多重交织抽样的方法来消除重建过程中的高阶残余频谱，同时具有较好图像恢复的效果。在理论上用光学传递函数方法证明了有关的结论。

聚合物发光二极管中可逆的不稳定行为

研究了存在于聚合物发光二极管 ( PL ED)中的一种可逆的“负阻”现象及短期衰退行为 .当加在 PLED上的正向偏压大于 1 0 V之后 ,其电流和发光强度将在某偏压下出现突然的转折 ,即电流或光强骤增而器件上压降减小 .“负阻”现象将随测量次数的增加而逐渐消失 .采用 CCD摄像头摄取发光象素上发光的变化情况的图像 ,发现光强的突变与电流的突变是相对应的 .对以不同极性脉冲偏置观察发光光强的短期衰退情况时发现 ,反向偏置有助于抑制正向的发光衰退行为 .我们初步认为这些现象可能与

用空间图像融合技术进行三维重建的研究

研究了从多个空间角度获得的三维物体图像的融合处理技术 ,并用于构成计算机三维重建时所需的表面纹理图。从光学成像系统获得的图像仅仅是三维物体在像平面上的投影 ,不能直接作为三维重建时的纹理图使用 ,必须消除由透视关系、几何投影关系等造成的畸变才能得到物体表面真实的纹理图。给出了反透视变换和逆几何投影变换所需的关系式 ,并将其用于真实物体三维重建时的表面纹理图的处理 。

过抽样情况下的交织抽样效应

光电成象系统的抽样过程引起图象频谱分布在频谱空间无限重复，如果抽样过程满足系统的Ｎｙｑｕｉｓｔ条件，即无频谱混叠，交织抽样可消除奇数阶频谱项，对于宽频响应的重建过程，能有效地消除高阶残余频谱项产生的假响应，并且保持零阶频谱以减小图象的模糊效应。本文用光学传递函数方法对过抽样情况下的交织抽样效应进行了分析。