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决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素
被引量:
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作者
王国宏
彭怀德
+3 位作者
马骁宇
王树堂
李玉璋
陈良惠
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第10期952-957,共6页
影响发光二极管光提取效率的主要因素有:出光表面状态、上电极和体内吸收.对于AlGaInP高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收.一般采用出光表面粗化、窗口层、DBR反射器等措施来提高光提取效率.本文以自发辐...
影响发光二极管光提取效率的主要因素有:出光表面状态、上电极和体内吸收.对于AlGaInP高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收.一般采用出光表面粗化、窗口层、DBR反射器等措施来提高光提取效率.本文以自发辐射随机分布模型为基础,以AlGaInP高亮度发光二极管典型结构的各种参数为依据,从理论上分析了这几种主要措施对光提取效率的影响.
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关键词
ALGAINP
高亮度
发光二极管
光提取效率
下载PDF
职称材料
题名
决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素
被引量:
3
1
作者
王国宏
彭怀德
马骁宇
王树堂
李玉璋
陈良惠
机构
光电子器件国家工程研究中心中国科学院半导体研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第10期952-957,共6页
文摘
影响发光二极管光提取效率的主要因素有:出光表面状态、上电极和体内吸收.对于AlGaInP高亮度发光二极管体内吸收主要是衬底和发光区的吸收.一般采用出光表面粗化、窗口层、DBR反射器等措施来提高光提取效率.本文以自发辐射随机分布模型为基础,以AlGaInP高亮度发光二极管典型结构的各种参数为依据,从理论上分析了这几种主要措施对光提取效率的影响.
关键词
ALGAINP
高亮度
发光二极管
光提取效率
Keywords
AlGaInP
Highbrightness light emitting diodes
Light extraction efficiency
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素
王国宏
彭怀德
马骁宇
王树堂
李玉璋
陈良惠
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1998
3
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