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InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
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作者 张权生 吕卉 +5 位作者 杜云 马朝华 吴荣汉 高洪海 高文智 芦秀玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第9期562-567,T001,共7页
在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器... 在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。 展开更多
关键词 半导体激光器 INGAASP/INP 共腔
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