MgF_(2)涂层对Mg-Zn-Ca合金在模拟体液中应力腐蚀开裂行为的影响

采用慢应变拉伸测试方法对Mg-3wt.%Zn-0.2wt.%Ca(质量分数)(MZC)合金和氟化镁(MgF_(2))涂层Mg-3wt.%Zn-0.2wt.%Ca合金(MZC-MF)的应力腐蚀开裂行为进行研究。结果表明,MgF_(2)涂层可以显著提高MZC合金在模拟体液(SBF)中的耐腐蚀性并延长其断裂失效时间。MgF_(2)涂层明显降低MZC合金在SBF中的应力腐蚀敏感性,应力腐蚀开裂敏感性指数(Iscc)分别降低21%(UTS),22%(tf),23%(δ),7%(φ)和15%(A)。

利用Cs基衍生物作为n型掺杂剂改善蓝色有机发光二极管的效率(英文)

利用两种Cs基衍生物碳酸铯(Cs2CO3)和醋酸铯(CH3COOCs)作为n型掺杂剂掺入到一种新型的电子传输材料2,9-二(2-萘基)-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(NBPhen)中来提高有机发光二极管(OLEDs)的效率.实验结果表明:器件的驱动电压明显降低,并且优化后得到的Cs基n型掺杂器件(ITO/β-NPB/CBP:5%(w)N-BDAVBi/NBPhen/NBPhen:Cs2CO3(or CH3COOCs)/Al)呈现出较好的电致发光性能,在14 V时电流密度分别为551.80和527.88 mA·cm-2,对应的亮度分别达到39750和39820 cd·m-2,电流效率在亮度为10000 cd·m-2时分别为14.60 cd·A-1(Cs2CO3掺杂)和14.40 cd·A-1(CH3COOCs掺杂),这些参数明显优于传统器件的发光性能(ITO/β-NPB/CBP:5%(w)N-BDAVBi/NBPhen/Cs2CO3/Al,其在14 V时电流密度为312.39 mA·cm-2,对应的亮度为25190 cd·m-2;电流效率在亮度为10000 cd·m-2时为9.45 cd·A-1.此外,基于有机半导体掺杂原理和器件的能级结构对n型掺杂器件效率提高的原因进行了分析.

Al^(3+)掺杂对花状氧化锌微结构形貌和气敏性能的影响(英文)

利用Zn(NO3)2.6H2O、Al(NO3)3和(CH2)6N4为反应物,PEG400为表面活性剂,通过共沉淀法制备了Al3+掺杂的花状氧化锌纳米棒结构。Al3+掺杂会调控所得氧化物的微结构,提高材料的气敏性能。在350℃工作温度下,掺杂0.3wt%Al3+的花状氧化锌微结构对0.200mL.L-1乙醇的灵敏度达28,响应时间仅12 s。