利用脉冲激光沉积(PLD)技术在p-GaAs外延片上生长了n型ZnO薄膜,制备了n-ZnO薄膜/p-GaAs异质结光电探测器原型器件。X射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,生长在GaAs表面上的ZnO薄膜具有较高的结晶质量。在反向偏压下,器件...利用脉冲激光沉积(PLD)技术在p-GaAs外延片上生长了n型ZnO薄膜,制备了n-ZnO薄膜/p-GaAs异质结光电探测器原型器件。X射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,生长在GaAs表面上的ZnO薄膜具有较高的结晶质量。在反向偏压下,器件表现出良好的近红外探测性能,工作电压在-0.5V到-4.0V时,光谱响应度峰值在850nm附近;当反向电压为-2.0V时,光响应度达到饱和,响应度峰值达到10.17A/W。而比探测率峰值则在-2.0V达到最大值2.06×1010 cm Hz1/2/W,之后下降。反向工作电压下的光谱响应度和比探测率曲线表明,器件对850nm附近的近红外光具有较强的选择性(FWHM约为30nm)。展开更多
文摘利用脉冲激光沉积(PLD)技术在p-GaAs外延片上生长了n型ZnO薄膜,制备了n-ZnO薄膜/p-GaAs异质结光电探测器原型器件。X射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,生长在GaAs表面上的ZnO薄膜具有较高的结晶质量。在反向偏压下,器件表现出良好的近红外探测性能,工作电压在-0.5V到-4.0V时,光谱响应度峰值在850nm附近;当反向电压为-2.0V时,光响应度达到饱和,响应度峰值达到10.17A/W。而比探测率峰值则在-2.0V达到最大值2.06×1010 cm Hz1/2/W,之后下降。反向工作电压下的光谱响应度和比探测率曲线表明,器件对850nm附近的近红外光具有较强的选择性(FWHM约为30nm)。
