回路电阻对测试平台杂散电感计算的影响研究

利用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开通瞬态波形或者关断瞬态波形来计算测试平台回路杂散电感是一种简单便捷的计算方法。此处认为IGBT动态测试平台回路电阻对杂散电感的计算结果有很大影响。根据IGBT开关瞬态过程中测试平台的等效电路,用Synopsys Saber软件建立了仿真电路,此处分析了回路电阻对计算结果的影响规律。以实际测试平台为分析对象,根据实测波形分析了回路电阻在杂散电感计算过程中的影响特点,试验结果与仿真结果相互吻合,验证了此处分析的正确性。

具有场限环终端的6500 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制

阐述了6 500 V4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计、仿真和制备过程,并对流片结果进行了测试,分析了测试结果与仿真结果差异的原因。通过仿真对比分析了漂移区厚度、掺杂浓度、有源区p+区和场限环终端参数对器件电学特性的影响,数值模拟优化了器件元胞和终端结构的漂移区、有源区和场限环的结构参数。根据模拟结果,4H-SiC漂移区掺杂浓度为1.08×10^15 cm^-3、厚度为60μm,采用经过优化的70个场限环终端结构,通过完整的工艺流程,完成6 500 V4H-SiC JBS的制备。测试结果显示,室温下当6 500 V4H-SiC JBS正向导通电流密度达到3.53×10^5 A/m^2时,正向压降为4 V,器件的反向击穿电压约为8 000 V。