六味生脉汤治疗老年性糖尿病63例

采用六味生脉汤(生地、山药、山萸肉、茯苓、丹皮、泽泻等)治疗老年性糖尿病63例,总有效率81％。提示本方法具有滋肾阴、填肾精、益气生津的作用。

功率VMOSFET实用计算机辅助设计软件包的研制和开发

自1976年功率VMOSFET首次提出以来,它已成为功率器件发展的主流.最近十年间,在功率MOS器件中,功率VMOSFET以其独特的优点引起人们广泛重视,大有替代双极型功率器件的趋势.同时,计算机辅助设计技术正以其快速、准确、大范围模拟等特点改变着传统的器件设计方法.本软件包的作用即是利用各种CAD技术对功率VMOSFET进行参数选取和优化设计.

陶瓷片状铝扩散源制备与扩散工艺探讨

本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果.

烧结条件对晶体管电热参数的控制作用

本文通过对烧结过程的分析,着重论述了烧结条件对晶体管热阻的控制作用,并由实验得到了使大功率晶体管DU33热阻最小的最佳烧结条件;同时也简要论述了烧结条件对晶体管抗热疲劳性能及饱和压降的控制作用.

高速高压大电流达林顿管

介绍了高速高压大电流达林顿管的设计及基本工艺

高压大功率开关晶体管少子寿命与诸电参数之间的关系及其控制技术的研究

本文研究了少子寿命与开关晶体管主要电参数之间的相互制约关系,探索了少子寿命的控制技术。

电阻焊封帽机封帽工艺设计理论

本文着重论述了使用电阻焊封帽机封幔工艺设计理论,并通过应用该理论在汤姆森2400型电阻焊封帽机上封焊各种外形尺寸(最大封焊周长200mm)分立器件和厚薄膜集成电路的实例,证实了该理论的准确性.

双极模式静电感应晶体管设计要点

在新的阻断状态解析模型基础上,定量讨论了双极模式静电感应晶体管(BSIT)主要结构参数(外延层杂质浓度N_B、漏源间距w、栅区深度r及栅间距2a)与沟道势垒的关系,同时给出了定性解释。还分析了大注入通态特性与结构参数的关系,为BSIT的关态及通态设计提供了理论依据。

平面栅静电感应晶体管阻断状态解析模型

给出的这一解析模型,是在合理近似基础上,通过求解二维Poisson方程获得的。其计算值与数值模拟结果相符,而且该模型也是分析平面栅静电感应晶体管特性的基础。

国内外大功率晶体管发展动态

本文所指的大功率晶体管是指普通型双极大功率晶体管。包括低频大功率晶体管、功率开关晶体管、高反压晶体管和功率达林顿晶体管四部分。功率场效应晶体管VDMOS、功率晶体管模块GTR、绝缘栅晶体管IGBT、静电感应晶体管SIT。

深化科技档案的开发与利用

科技档案是科学研究和工程设计的重要组成部分。为了顺应改革潮流,面向经济建设主战场,必须深化科技档案的开发与利用。一、科技档案工作存在的问题目前,我国科技档案工作存在的主要问题表现在以下几方面。

烧结温度曲线对肖特基产品质量的影响

在肖特基半桥产品的后部封装工艺中，烧结是影响产品质量的主要工序，而在烧结过程中，烧结温度又是最主要的因素。本文结合生产实践讨论了烧结温度对肖特基产品质量的影响，通过理论分析得出了结论，提高了产品合格率。

低频大功率硅晶体管用外壳F型铜管座结构性能的分析和改进

本文对国内通用F型铜管座的结构和性能进行了详细分析;对新研制成功的符合国标《GB7581—87 B2—01C》外形结构、性能先进、价格低廉的铜管座进行了介绍.

曲线拟合在半导体工艺中的应用

本文对半导体生产工艺中常用的几种图表式曲线进行曲线拟合,得出了比较理想的曲线函数形式,使得工艺计算准确、快速、简便,这些函数形式可以直接作为计算机工艺模拟的数学模型,且与实际符合得很好。

WVP1N06硅N沟增强型功率场效应晶体管的研制

介绍了研制 WVP1N0 6硅 N沟增强型功率场效应管的设计及基本工艺。

高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计

高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.

半导体功率器件发展概况

本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.