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高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管
被引量:
1
1
作者
郑海东
叶润涛
林新明
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第6期8-10,20,共4页
水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40~200。
关键词
水平沟道
场控器件
晶闸管
LFCT
下载PDF
职称材料
新型结构的水平沟道场控晶闸管
被引量:
1
2
作者
叶润涛
郑海东
+1 位作者
林新明
陈珉
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
1991年第4期487-488,共2页
本文介绍已研制成功的一种新型结构的水平沟道场控晶闸管(简称LFCT),它具有制作工艺简单、阻断增益高、开关速度快、与集成电路工艺兼容等优点。迄今为止在国内外未见有类似结构的报导。
关键词
水平沟道
场控
晶闸管
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职称材料
Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备
3
作者
庄庆德
李明祥
+2 位作者
钱文生
童勤义
林新民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期211-215,共5页
叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础...
叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础上,制备了性能良好的GaAs/Si MESFET与IC。
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关键词
分子束
金属半导体
场效应管
衬底
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职称材料
题名
高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管
被引量:
1
1
作者
郑海东
叶润涛
林新明
机构
浙江大学信息与电子工程系
杭州
八
达
微波
技术
器件厂
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第6期8-10,20,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
水平沟道场控晶闸管(简称LFCT)是由垂直沟道场控晶闸管发展而来的,它具有开关速度快、与集成电路工艺兼容等特点。我们采用刻蚀V型槽来代替栅扩散,已制成最大正向阻断电压为200V,可关断电流为2A的LFCT,其正向电压阻断增益达40~200。
关键词
水平沟道
场控器件
晶闸管
LFCT
Keywords
Lateral channel, Field-controlled device, Thyristor, LFCT
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
新型结构的水平沟道场控晶闸管
被引量:
1
2
作者
叶润涛
郑海东
林新明
陈珉
机构
浙江大学信电系
浙江
八
达
微波
技术
器件厂
出处
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
1991年第4期487-488,共2页
基金
国家自然科学基金资助课题
文摘
本文介绍已研制成功的一种新型结构的水平沟道场控晶闸管(简称LFCT),它具有制作工艺简单、阻断增益高、开关速度快、与集成电路工艺兼容等优点。迄今为止在国内外未见有类似结构的报导。
关键词
水平沟道
场控
晶闸管
Keywords
lateral channel, field-controlled, thyristor
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备
3
作者
庄庆德
李明祥
钱文生
童勤义
林新民
机构
东南大学微电子中心
八达微波器件厂
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期211-215,共5页
文摘
叙述在MBE(分子束外延)GaAs/Si材料上制作GaAs MESFET与Ic的研究。考虑到GaAsIC与Si IC单片集成的需要,采用了Ti/TiW/Au肖特基金属化和Ni/AuGe/Ni/Au欧姆接触金属化,层间介质采用等离子增强淀积氮化硅和聚酰亚胺复合材料。在该工艺基础上,制备了性能良好的GaAs/Si MESFET与IC。
关键词
分子束
金属半导体
场效应管
衬底
Keywords
Molecular Beam Epitaxy, Metal Semiconductor Fieldistor, Metallization, Schottky Contact,Ohmic Contact
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高压高阻断增益的水平沟道场控晶闸管
郑海东
叶润涛
林新明
《微电子学》
CAS
CSCD
1992
1
下载PDF
职称材料
2
新型结构的水平沟道场控晶闸管
叶润涛
郑海东
林新明
陈珉
《浙江大学学报(自然科学版)》
CSCD
1991
1
下载PDF
职称材料
3
Si衬底上MBE GaAs MESFET与IC制备
庄庆德
李明祥
钱文生
童勤义
林新民
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
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职称材料
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