混合微电子技术的新发展

介绍了两年来国内外混合集成电路的概况,从市场和技术两个方面评述传统技术与高级技术、老产品与新产品的相互促进及其各自的优劣,重点介绍多芯片组件及其主要制造技术,意在引起有关人员的注意,重视我国混合微电子工业的发展.

世界半导体制片设备的五年展望

在今后的五年内,预计半导体制造设备工业要从其衰退景象进入良好的增长期。到下一年一月,设备费用将会超过这里所做的预测。1987年,设备费用仅增长了17％,而1988年的增长率高达85％。 虽然如此,目前的好转情况与1984年的情况非常不同。几乎所有的公司都投入资金,随着公司销售额的骤增,各家都有收益。但并非都达到了相同的程度。

一种脉宽调制器电路

W1524/2524/3524集成电路是航空航天部六九一厂生产的一种新型脉宽调制器,它同美国国家半导体公司生产的LW1524/2524/3524性能一样。可作为任何极性开关调整器、无变压器的极性转换器、直流变直流的升压或降压调整器。W1524采用标准的16线双列直插陶瓷密封外壳,工作温度-55℃～+125℃。W2524/3524采用16线双列直插塑料封装(或陶瓷密封)。

国外MCM及其主要制造技术的发展现状

MCM具有胜过PCB、LSI和一般HIC的诸多优点,正在逢勃发展,可望成为九十年代的代表性技术。本文从市场和技术两个方面评述MCM的发展潜力,重点介绍近年来国外MCM主要制造技术的现状及发展态势,试图引起人们对它的关注。

埋层图形横向位移对器件参数影响的研究

本文重点从埋层图形横向位移对双极器件参数的影响出发，研究了埋层图形横向位移的机理、位移方向和不同外延层厚度的位移量，提出解决埋层图形横向位移的唯一途径是利用版图的对准符号配合硅片参考面来消除横向位移。并建议在单通隔离工艺中或在双对通隔离工艺中，适当减小埋层与隔离图形的间距是提高器件参数性能和器件成品率的奥妙所在。

美G-385-1B型离心试验机的结构设计特色

G—385—1B型离心试验机是我厂从美国引进的集成电路离心加速度试验设备。若按其旋转工作台设计不同的试验夹具,也可以用来作其他小型电子元器件的离心加速度试验。它既可作工艺筛选使用,也可作产品成品验收使用。 该机性能可靠,操作维修方便,安全保护措施齐全。本文只对其结构设计特点作一简单论述。 “

DJB-823电接触固体薄膜保护剂在集成电路上的试验与应用

介绍了DJB-823电接触固体薄膜保护剂的作用机理与特性;为将该保护剂用于固体电路上做了溶剂、浓度、涂覆厚度及耐温等各种试验。应用结果表明可以大大提高集成电路的可靠性和成品率。

对工业企业划小核算单位问题的思考

在改革开放中，许多大中型企业为了增加活力，纷纷划小核算单位，对此如何认识？根据对西安地区一些大中型企业的调查，从划小核算单位的作用及存在问题到核算管理诸方面进行了分析论述。

质量否决权在企业推行全面质量管理工作中的意义和作用

质量否决权是指企业在经济责任制的考核中坚持“质量第一”的方针,经济责任制充分体现了质量责任制,在进行考核和计算奖金时,把质量作为起决定性因素,以利于调动职工提高产品质量的积极性。

国产标志油墨代替进口标志油墨在IC上试验与应用

本文介绍国产标志油墨反应机理、应用性能试验。为将国产标志油墨用于IC上,按IC的要求对该油墨进行了烘干温度、耐温度、附着力、恒定潮热、耐氟油、耐NaCl蒸汽及耐溶剂等单项与连项应用对比试验,结果表明国产标志油墨可代替进口标志油墨,从而解决了生产急用、降低了成本,且提高了标志识辨率。

印制板组件的在线测试及非向量测试

该文介绍了印制板组件在线测试的内容、手段和当前新使用的技术,包括目前开始普遍采用的非向量测试技术。最后简述了多芯片模组器件及印制板组件自测试这一发展趋势。

健全质量指标考核体系 有效实施质量否决权

当今工业企业普遍实行利润承包。但实行利润承包一般容易产生忽视质量的倾向。这时,进一步强调质量的考核、监督是非常必要的。而健全质量指标考核体系,有效实施质量否决权是我厂这几年实行利润承包以来,对质量进行监督管理的一种行之有效的方法。我厂质量否决权主要从产品质量和工作质量两个方面否决,这里就产品质量否决谈谈我们的做法。

印制板组件的边界扫描检测技术

电子系统对集成电路性能、封装密度及微型化的要求似乎是永无止境的。当今的“奔腾”(Pentium)芯片是0.8μ的工艺,一共有320万个晶体管,而SIA预言到2001年超亚微米技术(<0.18μ)将成为主要技术。一个芯片将可包含6400万个以上的晶体管,性能将达到600兆赫。器件复杂性和集成度的剧增导致了它的高密度封装(BGA,COB,TAB,MCM等)。就当前的封装技术而言,管脚引线数达到数百甚至更多已不是什么新闻,而其管脚引线间距已从DIT/PGA器件的2.54mm缩小到了SOIC的1.27mm、QFP的0.635mm、TAB的0.203mm了。

硅锥阵列场发射微真空二极管研制

本文使用阳极抛光盖板技术取代工艺上较为复杂的牺牲层技术制作了硅锥阵列场发射真空二极管,并从实验上和理论上研究了该二极管电流电压特性.