质子轰击元素Ta、Lu引起的原子L亚壳层顺排

用能量０．８—２．ＯＭｅＶ质子束轰击元素Ｔａ、Ｌｕ使其电离，通过测量特征Ｘ射线的角分布，得到了Ｌ亚壳层原子顺排因子Ａ２和特征线Ｌｌ的极化度Ｐ，实验结果和ＰＷＢＡ理论进行了比较。基于特征偶极辐射，对原子顺排的物理图象作了解释。

分析束强流中子发生器中子比产额及靶寿命

将在分析束(D_1^-)轰击下,大面积高速旋转靶半寿命、中子比产额等指标与非分析束作了比较。中子比产额从1.1×10^(11)s^(-1)·mA^(-1)提高到1.6×10^(11)s^(-1)·mA^(-1),氚钛靶半寿命提高一个数量级,靶寿期由1mA·h/cm^2提高到6.9 mA·h/cm^2。

一种由负电极和磁镜组成的空间电荷透镜

文章叙述了一种由负电极和磁镜组成的空间电荷透镜。它可以高效率地捕获电子,并具有较强的聚焦性能。在强中子发生器调试中,采用这种透镜使D^+束从9mA提高到27mA。

300keV,30mA氘粒子加速器

这是一台低能强流加速器。调试结果:靶上获得能量300keV,流强30mA的连续氘束流;束斑直径小于2cm。通过(d,T)反应中子产额达到3×10^(12)n/s。该器采用双等离子体离子源,双间隙高梯度加速管,由频率为2.5kHz的可控硅中频逆变器供电的对称型四级倍压稳压电源,直径20cm和转速1100r/min的高速旋转氚钛靶等。

双等离子源强流束特性的研究

本文研究了利用双等离子源产生多种离子束以及它们的束流引出特性。并对氢、氦、氮、氩等气体产生的离子束进行了磁分析,测定了离子束的质谱。同时,对多电荷态离子的产生和束流发射度作了讨论。

300kV,10mA直流高压稳压电源

一、引言本电源是为一台中子发生器研制的。因为中子发生器只考虑连续束,高压电源只采取慢稳压措施。实验结果表明,该电源性能超过预定指标。性能如下:工作电压300 kV,工作电流10 mA;当市电电压变化不超过10%和负载电流由空载至10 mA改变时,在8 h内高压输出电压变化不大于±0.5%。

强中子发生器离子光路设计与调试

文章介绍了3×10^(12)n/s强中子发生器离子光路设计与调试。在该器设计中,充分考虑了空间电荷效应,并采取有效措施,如使用空间电荷透镜等,保证了在强流条件下,高效率地传输和聚焦。文章还给出强流情况下,实际的束流分布、传输效率等有关实验数据。

多元合成法研究任意中子源能谱等效的尝试

描述了一种多元合成研究任意中子源对半导体辐照损伤能谱等效的方法。以D-T 中子源和200~# 反应堆中子源为已知模拟源,对一个任意中子源进行了最小二乘法拟合。选择3DK2 器件做辐照实验,得到了几个中子源对硅半导体辐照损伤的初步的能谱等效结果。

用于强流中子发生器14MeV中子产额绝对测量的45°偏转半导体符合望远镜

本文介绍一台用于3.3×10^(12)n/s强流中子发生器14MeV中子产额绝对测量的45°偏转半导体符合望远镜。在源强2×10^(10)—3×10^(12)n/s范围内与^(238)裂变室进行了比对测量,在4.5％的误差内两种方法给出一致的结果。

强流中子发生器及其应用

本文简述了强流14MeV中子发生器发展现状及其在核聚变技术和放射医疗中的应用。介绍了兰州大学最近建成的3×10^(12)n/S强流中子发生器的性能。

3×10^(12)s^(-1)强中子发生器后分析系统调试结果

一、引言兰州大学强中子发生器于1988年通过部级鉴定,氘离子束达30 mA,中子产额达3×10^(12)s^(-1)。然而,由于它是采用混合离子束,靶寿命只有十几个小时。在聚变堆第一壁材料研究中,要求的累计中子注量超过10^(17)cm^(-2)。因此,辐照时间需几百小时。因为氚靶价格昂贵,用混合离子束进行材料辐照损伤研究,其费用是很高的。

采用弹性反冲分析法同时测量薄膜中氢和氘的深度分布

给出由重叠反冲能谱计算氢和氘的浓度及深度分布的解谱技术。用４．５ＭｅＶ和４．２ＭｅＶ的α粒子作入射粒子得到两个反冲能谱，在考虑和不考虑能量展宽效应的情况下分析了钛膜中氢和氘的深度分布；发现考虑能量展宽效应的影响得到的氢和氘的深度分布是令人满意的。

空间电荷中和透镜的研究

文章从理论上研究了建立空间电荷中和透镜的物理基础。给出了这种透镜的焦距公式以及合理设计和使用透镜参数的一些因素。根据本文结果所设计的一台空间电荷中和透镜,作为一个强束流聚焦单元,已使用在强流实验台上,起到了聚束作用和与后级光路系统的匹配作用。

1．5～4．5MeVα粒子引起Lu，Ta和Au L亚壳层电离的研究

以能量为１．５～４．５ＭｅＶ的α粒子轰击Ｌｕ，Ｔａ和Ａｕ靶，测得Ｌ亚壳层Ｘ射线产生截面．利用荧光产额和Ｃｏｓｔｅｒ－Ｋｒｏｎｉｇ跃迁几率等原子参数得到Ｌ亚壳层电离截面，将实验所得Ｌ亚壳层电离截面与ＥＣＰＳＳＲ理论预言值进行比较，对Ｌ１和Ｌ３亚壳层，理论值与实验结果符合较好．讨论了ＥＣＰＳＳＲ理论的Ｌ２亚壳层电离截面与实验结果的偏差来源．

腰-腰传输中强流束包络线方程的近似计算

研究了广义导流系数Π <1× 1 0 - 3 时的低能强流束包络方程的近似计算问题 ,在非线性条件下 ,导出相应的数学表达式和特征长度。使用腰 腰传输公式的包络计算结果与强流束包络方程计算结果基本一致。

利用离子注入^(15)N靶研究超低能区^(15)N(p,α)^(12)C核反应

描述了利用离子注入固体靶测量15N(p ,α) 12 C核反应微分截面的实验过程和方法 ,给出了在163keV≤Ec≤ 360keV能区 90°方向上的微分截面测量结果和激发函数曲线 ,并对该反应的基本特征进行了分析和描述。

200keV离子束生物工程装置的研制

离子束生物诱变研究是不同于传统辐射生物学的一门新兴学科。目前，我国在这方面的研究尚处于世界领先地位。本文报导了一台用于离子束生物诱变研究的２００ｋｅＶ离子束装置。该装置对强流离子束采用先分析后加速的总体设计方案，一台热阴极来复式弧放电双等离子源用于产生Ｈ、Ｎ、Ｏ、Ｃ、Ｐ和Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ等离子，最大靶流１０ｍＡ（Ｎ＋）。本文给出了这台装置的详细结构。

α粒子轰击钍和铀引起的M亚壳层电离

本文研究2.5—4.5MeVα粒子轰击Th和U引起的M亚壳层电离。采用最小二乘法拟合实验谱求得N_(6,7)→M_5(M_α线),N_6→M_4(M_β线),N_5→M_3(M_γ线),N_4→M_2和N_2→M_1线的x射线产生截面。利用M壳层的辐射跃迁率,Coster—Kronig跃迁率和M亚壳层的荧光产额将x射线产生截面转换为M亚壳层电离截面。将实验所得的M亚壳层电离截面与PWBA和ECPSSR理论预言值进行比较,本文讨论了理论值与实验结果之间的偏差来源。

强流离子束的束包络方程与束包络计算——Ⅰ.强流离子束的束包络方程

在考虑了强流离子束自身空间电荷效应和束流初始特征(束流发射度)的情况下,本文给出了强流离子束在电磁场中运动的束包络方程.同时也给出了强流离子束分别在静电场、静磁场和自由空间(即等位空间)中运动的束包络方程.

双等源强流离子束分析

目前所使用的各种离子源,还不能产生具有完全单一荷质比的离子,所以,离子源所提供的离子束是包含多种离子组态的混合束。因此,要把离子加速到高能,就涉及到一个多动量离子束加速系统。在由电磁场(电磁组件)构成的强流带电粒子加速系统中,多动量离子束的加速和聚焦会产生许多缺陷与困难。在强流加速器中,提高所需离子的加速效率,减轻加速器的总负荷。