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Pt/Co/Au多层膜中磁斯格明子的密度调控
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作者 徐琦 张宇中 +9 位作者 胡玥 李泽林 姜泽 王楠 蒙萱 邓霞 关超帅 朱柳 张军伟 彭勇 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期155-163,共9页
磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳... 磁斯格明子是一种拓扑自旋结构,凭借其尺寸小、结构稳定和驱动电流密度低等特性,有望成为新一代赛道磁存储器件的信息存储单元。在存有磁斯格明子的材料体系中,具有界面Dzyaloshinskii-Moriya Interaction(DMI)的铁磁多层膜可与现代纳米制造工艺兼容,并且这种铁磁多层膜产生的磁斯格明子在室温下可稳定存在,这为基于磁斯格明子研发的电子器件提供了材料基础。然而磁性多层膜中界面DM相互作用、交换相互作用和偶极相互作用等各种作用之间的竞争,导致了磁斯格明子密度的随机变化,降低了磁斯格明子器件的可控性。因此,系统的研究材料参数对磁斯格明子密度的调控具有重要的意义。本文通过改变磁性层Co层的厚度调控了磁性多层膜中磁斯格明子的密度。实验结果表明,随着Co层厚度的增加,磁斯格明子的密度先增加后减少,其中Co层为2.1 nm时磁斯格明子密度最大。理论计算表明,磁性层厚度的变化会引起磁各向异性的转变和内禀属性DM相互作用的改变,进而影响磁斯格明子密度的变化。 展开更多
关键词 磁斯格明子 球差电镜 洛伦兹技术 磁性层厚度
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V_2O_5薄膜的结构和光电性能研究 被引量:5
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作者 许旻 邱家稳 贺德衍 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第6期373-376,共4页
在O2 /Ar混合气氛中 ,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2 O5薄膜。对所沉积的薄膜进行 4 5 0℃退火。利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性能进行了分析 ,从 2 0 0nm~ 2 5 0 0nm光谱的透射和... 在O2 /Ar混合气氛中 ,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2 O5薄膜。对所沉积的薄膜进行 4 5 0℃退火。利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性能进行了分析 ,从 2 0 0nm~ 2 5 0 0nm光谱的透射和反射测量结果 ,计算出薄膜的吸收系数。结果表明 ,V2 O5薄膜纯度高 ,结晶好 ,高低温电阻变化 2个量级。光学能隙为2 4 6eV。 展开更多
关键词 V2O5薄膜 电性能 吸收系数 脉冲磁控溅射 纯度 光学能隙
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微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究 被引量:3
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作者 许旻 崔敬忠 贺德衍 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期419-422,共4页
用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜 .利用X射线衍射 ,X射线光电子谱 ,原子力显微镜 ,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试 .结果表明 ,沉积薄膜的电阻温度系数大于 1.8% /℃ ,方块电阻为 2... 用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜 .利用X射线衍射 ,X射线光电子谱 ,原子力显微镜 ,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试 .结果表明 ,沉积薄膜的电阻温度系数大于 1.8% /℃ ,方块电阻为 2 2± 5kΩ/□ . 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 射频磁控反应溅射法 X射线衍射 原子力显微镜 分光光度计 电阻温度系数 微测热辐射计
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退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响 被引量:5
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作者 许旻 邱家稳 贺德衍 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第3期161-164,共4页
采用铟锡合金靶 (铟 锡 ,90 - 10 ) ,通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜 ,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明 。
关键词 ITO 透明导电薄膜 光学特性 电学特性
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一种新型平板彩色显示器件的制备和光谱分析 被引量:1
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作者 牛连斌 徐征 +3 位作者 滕枫 张福甲 王永生 徐叙瑢 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期2007-2010,共4页
以MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基-对苯乙烯)])和Alq3作为发光层,成功制备出ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al结构和ITO/SiO2/Alq3/SiO2/Al结构的固态阴极射线器件。通过分析SSCL光谱,认为这些高速电子激发有机材料后形成Frenkel激子... 以MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基-对苯乙烯)])和Alq3作为发光层,成功制备出ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al结构和ITO/SiO2/Alq3/SiO2/Al结构的固态阴极射线器件。通过分析SSCL光谱,认为这些高速电子激发有机材料后形成Frenkel激子。当器件两个电极之间加的电压比较低时,有机薄膜层的场强也比较低,这些激子被解离的概率很小,从而产生的是激子发光的长波发射;当器件两个电极之间加的电压比较高时,有机薄膜层的场强很高,在有机层形成的激子大部分被解离,解离后的电子直接跃迁至LUMO(lowest unoccupancied molecular orbit),这些电子弛豫后从LUMO能级到HOMO(highest occupan-cied molecular orbit)能级直接辐射跃迁,接着重新复合发光,从而产生短波发射。制作的固态阴极射线器件可以实现全色发光,提高发光效率和加强蓝光发射。作者可以预期所研制出的这种SSCL器件必将引发平板显示领域一场新的革命性变革。 展开更多
关键词 固态阴极射线器件 被加速电子 全色发光
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单发光层结构的白色有机电致发光器件的研究 被引量:1
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作者 李建丰 孙硕 +1 位作者 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期382-384,共3页
在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.... 在研究了合成并提纯的蓝光材料Liq和黄光染料Rubrene发光特性的基础上,采用高效的荧光染料Rubrene作为掺杂剂掺杂在母体材料Liq中,制备了单发光层结构的有机电致发光器件。当掺杂摩尔分数为1.0%时,器件得到了近白色发光(色度x=0.29,y=0.34),在驱动电压为24V时,器件的亮度达到了2804cd/m2,在驱动电压为16V时,器件的效率达到了4.6cd/A。 展开更多
关键词 白色有机电致发光器件 掺杂 能量转移
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非晶氧化钒薄膜光学性质研究 被引量:1
7
作者 许旻 邱家稳 贺德衍 《真空与低温》 2003年第3期134-137,共4页
在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200~2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制... 在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200~2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制备的V2O5薄膜为非晶结构,光学能隙为2.46eV。 展开更多
关键词 非晶氧化钒薄膜 光学性质 脉冲磁控溅射 分光光度计 薄膜电池
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非致冷红外焦平面阵列VO_2薄膜结构和性能研究 被引量:2
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作者 许旻 崔敬忠 贺德衍 《微细加工技术》 2003年第1期34-39,共6页
采用射频磁控反应溅射方法,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参数,沉积出满足非致冷红外焦平面阵列使用的VO2薄膜。解决了以往其它方法制备过程中薄膜相成份较为复杂、薄膜不均匀和电阻温度系数达不到使用要求的问题。利用X射... 采用射频磁控反应溅射方法,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参数,沉积出满足非致冷红外焦平面阵列使用的VO2薄膜。解决了以往其它方法制备过程中薄膜相成份较为复杂、薄膜不均匀和电阻温度系数达不到使用要求的问题。利用X射线衍射和X射线光电子谱,分析了薄膜的成分、相结构、结晶和价态情况,用原子力显微镜表征了薄膜的微观结构,分光光度计分析了薄膜在可见到红外波段(500~2500nm)高低温透射率变化情况,对薄膜的电学性能也进行了测量和分析。结果表明VO2薄膜纯度高,结晶好,薄膜的光透射率在波长2000nm处相变前后改变了42%,室温下的方块电阻为26.8kΩ/□,电阻温度系数为2.2%/℃。同时给出了利用X射线光电子谱中钒的V2p3/2特征峰位表征氧化钒相结构的方法。 展开更多
关键词 氧化钒 薄膜 非致冷红外焦平面阵列
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有机半导体材料蒽薄膜的生长
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作者 李建丰 李东仓 +1 位作者 欧谷平 张福甲 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期713-715,共3页
利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析... 利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上沉积了蒽薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同沉积时间的蒽薄膜形貌进行了观察,研究了蒸发沉积蒽膜时膜在二氧化硅衬底上的成核和生长模式,并借助X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的结晶状态。结果显示:蒽膜生长时,蒽的临界核以Volmer-Weber模式生长,即蒽首先形成许多三维岛状的晶核,核长大增高为岛,然后在蒽离域大π键的作用下,相邻的两层蒽分子存在一定程度的交叠,岛与岛相互连接构成岛的通道,最后形成均匀致密、具有良好晶体特性的多晶薄膜。 展开更多
关键词 蒽薄膜 生长模式 SEM AFM XRD
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TMEP作为缓冲层增加有机发光器件的效率的研究
10
作者 李建丰 李勇华 +3 位作者 孙硕 董茂军 欧谷平 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1572-1574,共3页
在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.1... 在有机发光器件中的发光层和阴极之间插入了稳定性好、有良好电子传输能力的苝酸四甲酯(TMEP)新型缓冲层,改善了有机电致发光器件的亮度和发光效率。在电流密度为200mA/cm2时,有缓冲层的器件B效率为0.82cd/A,没有缓冲层的器件A效率为0.14cd/A。 展开更多
关键词 有机电致发光 TMEP缓冲层 发光效率
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9,9′-联蒽/SiO_2表面及界面的AFM和XPS的研究
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作者 李建丰 宋青 +2 位作者 牛振川 刘林东 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1660-1662,共3页
在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄... 在热氧化硅片的衬底上真空蒸镀了1层9,9′-联蒽的薄膜。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面及界面的形貌和电子状态进行了分析。结果发现表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,并吸附了空气中大量的气体分子;9,9′-bianthracene薄膜中的氧,主要来自表面吸附的氧气和水分子的扩散以及湿氧氧化时残留在氧化层中水分子和氧分子的扩散。所以对OFET而言,采用溅射工艺制备的SiO2层应比热氧化生长的SiO2层更合适。 展开更多
关键词 9 9′-联蒽 AFM XPS
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RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计 被引量:2
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作者 贾晓云 冯鹏 +2 位作者 张胜广 吴南健 刘肃 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期413-418,共6页
针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。... 针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编程电压约为6 V,在擦写次数达到10 000次后,仍具有1.5 V的阈值窗口。 展开更多
关键词 CMOS标准工艺 非易失性 存储单元 灵敏放大电路 射频识别(RFID)
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Modulating the microenvironment structure of single Zn atom:ZnN_(4)P/C active site for boosted oxygen reduction reaction 被引量:3
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作者 Syed Shoaib Ahmad Shah Tayyaba Najam +3 位作者 Jiao Yang Muhammad Sufyan Javed Lishan Peng Zidong Wei 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第8期2193-2201,共9页
The electronic structure of catalytic active sites can be influenced by modulating the coordination bonding of the central single metal atom,but it is difficult to achieve.Herein,we reported the single Zn-atom incorpo... The electronic structure of catalytic active sites can be influenced by modulating the coordination bonding of the central single metal atom,but it is difficult to achieve.Herein,we reported the single Zn-atom incorporated dual doped P,N carbon framework(Zn-N_(4)P/C)for ORR via engineering the surrounding coordination environment of active centers.The Zn-N_(4)P/C catalyst exhibited comparable ORR activity(E_(1/2)=0.86 V)and significantly better ORR stability than that of Pt/C catalyst.It also shows respectable performance in terms of maximum peak power density(249.6 mW cm^(-2)),specific capacitance(779 mAh g^(-1)),and charge-discharge cycling stability for 150 hours in Zn-air battery.The high catalytic activity is attributed to the uniform active sites,tunable electronic/geometric configuration,optimized intrinsic activity,and faster mass transfer during ORR-pathway.Further,theoretical results exposed that the Zn-N_(4)P configuration is more electrochemically active as compared to Zn-N_(4) structure for the oxygen reduction reaction. 展开更多
关键词 N- P-doping Oxygen reduction reaction Zn-air battery Single-atom catalyst Microenvironment modulation
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脉冲溅射V_2O_5薄膜结构和性能研究 被引量:4
14
作者 许旻 贺德衍 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期743-746,共4页
V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系 ,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2 O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反... V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系 ,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2 O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反应溅射方法 ,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参量 ,在石英玻璃和硅片上制备V2 O5薄膜。利用X射线衍射和X射线光电子谱 ,分析了薄膜的成分、相结构、结晶和价态情况 ,用原子力显微镜表征了薄膜的微观结构 ,用分光光度计测量从 2 0 0~ 2 5 0 0nm波段V2 O5薄膜的透射和反射光谱 ,对薄膜的电学性能也进行了测量和分析。结果表明 ,V2 O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。高低温电阻变化 2个量级 ,薄膜的光学能隙为 2 .4 6eV。 展开更多
关键词 氧化钒薄膜 薄膜结构 脉冲磁控反应溅射法 原子力显微镜表征 结晶度 光学能隙 电学性质
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V_2O_5薄膜结构和性能研究 被引量:3
15
作者 许旻 贺德衍 《科技通讯(上海)》 CSCD 2004年第1期19-23,共5页
关键词 V2O5薄膜 脉冲溅射 微结构 光电特性 XRD XPS AFM
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有机半导体NTCDA的合成及结构表征
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作者 李建丰 孙硕 +3 位作者 董茂军 胥超 肖剑 张福甲 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期630-634,共5页
叙述了利用1,8萘二甲酸二钠为原料制备高纯1,4,5,8-萘四甲酸二酐的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、X-射线衍射谱对其结构进行了表征,并通过紫外-可见光光谱分析了其光吸收特性.
关键词 有机半导体材料 合成 结构表征
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