静电感应晶闸管静态特性的仿真模拟

引入了一种SITH仿真模型。结合实验数据,利用PSPICE模拟软件,从等效电路的角度对静电感应晶闸管（SITH）进行了正向导通,类三极管正向阻断、负阻转折特性的仿真模拟。

静电感应晶体管高频功率参数的控制

以对静电感应晶体管（ＳＩＴ）的直流参数的研究为基础，详细研究了与ＳＩＴ高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下，器件引线寄生电感的影响变得严重，使得对器件的封装有了新的要求，本文对这一问题也进行了探讨。

静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。

双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。

用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn^+pp^+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测量证实了这种新方法的合理性 .分析了各主要工艺对钝化效果的影响 ,综合优化指出 :在淀积 SIPOS层时 ,掺氧量要高 ,而淀积温度不应太高 .用此方法钝化的 4H- Si C n+ pp+ 结构 ,击穿电压接近理想值 。

SITH负阻转折特性的分析模型

提出了一个用于分析 SITH正向阻断态的新模型。这个模型在结构上类似于 SCR。这样 ,就可以把SITH的二维分析简化为 SCR的一维分析。我们应用了这个模型来分析 SITH的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压 ,计算结果与实际测量值相符合 。