脉冲激光纳米薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积 (PLD)是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了该技术的物理原理 ;探讨了脉冲激光沉积制膜的物理过程 ,激光作用的极端条件及等离子体羽辉形成的控制对薄膜成长的影响 ;评价了脉冲激光沉积技术在多种功能材料薄膜 ,特别是纳米薄膜及多层结构薄膜的制备方面的特点和优势。结合自行研制的设备 ,介绍了在PLD基础上发展起来的兼具分子束外延 (MBE)技术特点的激光分子束外延技术 (L MBE)。指出脉冲激光沉积技术在探讨激光与物质相互作用和薄膜成膜机理方面的作用 ,尤其是激光分子束外延技术在高质量的纳米薄膜和超晶格等人工设计薄膜的制备上显现出的巨大潜力。

纳米薄膜脉冲激光沉积技术

简要介绍了脉冲激光薄膜沉积 (PLD)技术的物理原理、独具的特点 ,并且介绍了在PLD基础上结合分子束外延 (MBE)特点发展起来的激光分子束外延 (L -MBE) ,以及采用L

硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展

ＰｔＳｉ红外探测器是一种重要的光电器件．在军事和民用方面均起着非常重要的作用。高质量硅基ＰｔＳｉ 薄膜的制备是高性能器件研制的基础。本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备ＰｔＳｉ 薄膜的方法。并评述了ＰｔＳｉ红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势。

脉冲激光制备硅基超薄PtSi薄膜

用脉冲激光沉积制备了纳米级 Ｐｔ／Ｓｉ异质层．对脉冲激光退火形成超薄 ＰｔＳｉ 薄膜进行了研究。对于 Ｐｔ、Ｓｉ互扩散反应形成 Ｐｔ２Ｓｉ和 ＰｔＳｉ的过程利用 ＸＰＳ进行了测试分析，通过ＸＰＳ和ＡＦＭ等分析测试手段对不同参数激光退火形成的ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测。我们获得了均匀的、超薄连续的ＰｔＳｉ层且具有平滑的 ＰｔＳｉ／Ｓｉ 界面。

PtSi红外探测器材料制备技术

介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等 Pt Si薄膜的制备方法及应用进展。着重介绍了脉冲激光沉积和激光分子束外延技术的原理及特点。

降低肖特基势垒高度的途径探讨

通过深入地分析影响金属 -半导体肖特基势垒的各种因素 ,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径 ,其中 ,特别是通过汽相激光诱导化学掺杂技术在金属 -半导体界面上制作一足够薄的高掺杂层 ,可以使肖特基势垒高度得到显著降低。这种技术的应用 ,对在PtSi/Si界面上制作超浅结和在半导体器件中制作良好的欧姆接触提供了广阔的应用前景。