抛光垫在蓝宝石衬底化学机械抛光中的应用研究

在分析化学机械抛光中常用抛光垫的材质、性能、表面结构基础上,研究了抛光垫对蓝宝石衬底抛光质量的影响规律:材质硬的抛光垫可提高衬底的平面度;材质软的抛光垫可改善衬底的表面粗糙度;表面开槽的抛光垫可提高抛光效率;表面粗糙的抛光垫可提高抛光效率;对抛光垫进行适当的修整可使抛光垫表面粗糙;用聚氨酯类抛光垫能够使得蓝宝石衬底的抛光面小于0.3nm的表面粗糙度。

蓝宝石晶片纳米级超光滑表面加工技术研究

本文提出以蓝宝石塑性磨削和化学机械抛光为主要手段,以原子力显微镜为主要检测工具,来制备满足光电子领域要求的纳米级超光滑蓝宝石晶片的新方法。在高刚性磨床上,用W 7的金刚石砂轮以f=1μm/r进给量,实现了蓝宝石晶片的浅损伤塑性域磨削。配制了以S iO2溶胶为抛光料的蓝宝石晶片专用抛光液,稳定地获得了无损伤层的RMS小于0.2 nm的超光滑蓝宝石晶片表面。GaN外延生长所需蓝宝石晶片的合理抛光参数是:S iO2的粒子直径为7 nm、浓度为3%、pH=11、压力P=200Pa。

蓝宝石晶片质量检测体系研究

阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性，根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系，结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况，提出了蓝宝石晶片质量检测体系，包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备，通过试验研究，该质量检测体系能够满足光电子领域所需的蓝宝石晶片生产要求。

蓝宝石晶片抛光过程运动仿真及实验分析

本文分析了双面抛光机的抛光原理,建立了晶片在抛光过程中运动的数学模型,采用VC语言对双面抛光加工进行运动仿真,分析了不同参数对抛光效果的影响,获得了最合理的抛光运动参数,并且在抛光机上得到了验证。

化学机械抛光工艺中的抛光垫

抛光垫是晶片化学机械抛光中决定表面质量的重要辅料。研究了抛光垫对光电子晶体材料抛光质量的影响:硬的抛光垫可提高晶片的平面度;软的抛光垫可改善晶片的表面粗糙度;表面开槽和表面粗糙的抛光垫可提高抛光效率;对抛光垫进行适当的修整可使抛光垫表面粗糙。

蓝宝石晶片表面净化技术研究

阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。