CuInSe_2薄膜特性研究

利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。

真空蒸发CVD法研制超微粒SnO_2薄膜

用真空反应蒸发,在玻璃、陶瓷及Si-SiO_2衬底上获得晶粒线度为90至0.2μm的超微粒SnO_2薄膜,对薄膜的结构、形貌及其电学性质和光学性质进行了研究。通过控制掺杂,使薄膜具有优良的湿敏特性和气敏特性。

SnO_2-ZnO薄膜的热处理效应

用电子束蒸发的方法,在1.33×10^(-3)Pa的真空中蒸发SnO_2-ZnO陶瓷及掺杂荆,获得超微粒结构的SnO_2-ZnO薄膜,薄膜在氮气和氧气气氛中进行热处理。经热处理后,薄膜的结构、电学及光学性能得到改善。由这种薄膜制备的气敏元件,经掺杂和600℃热处理后,对乙醇气体有很高的灵敏度。