脉冲激光沉积溅射工艺对CIGS薄膜成分和结构的影响

采用脉冲激光沉积溅射法在玻璃衬底上制备Cu-In-Ga预制膜,后经硒化、退火处理,得到CIGS薄膜。采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构,采用扫描电子显微镜和能量散射谱观察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光电子能谱分析了薄膜表面的化学价态。结果表明,预制膜采用玻璃/In/Cu-Ga的叠层顺序且溅射脉冲数为In靶60000,Cu-Ga靶50000的溅射方式,可制备出沿(112)晶向择优生长的CIGS薄膜。

硒化Cu,In双层膜制备CuInSe_2薄膜

采用超声波电沉积方法在钼衬底上制备了Cu,In双层膜,随后硒化得到了CuInAe_2薄膜。采用扫描电镜(AEM)、能谱仪(EDA)和X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜的表面形貌、化学成分和相组成。结果表明:利用超声波电沉积可以得到颗粒细小、均匀致密的Cu层和In层;采用不同的工艺参数可以调节双层膜的Cu/In比率;双层膜在130℃下,退火6h后进行硒化,可得到符合化学计量比的CuInAe_2薄膜。

SDC/YSZ双层电解质薄膜的制备与特性

利用脉冲激光沉积技术(PLD)在MgO单晶片基底上制备Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ)/ZrO_2∶Y_2O_3(SDC/YSZ)双层电解质薄膜。X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)的结果显示SDC/YSZ双层电解质薄膜沿(111)方向择优生长,随着退火温度的升高,薄膜变得均匀致密,结晶度得到改善,(111)衍射峰强度变大,择优生长取向明显;电化学测量表明,SDC/YSZ双层电解质薄膜的离子电导率比单层YSZ薄膜的离子电导率高。

纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应

本文先比较了几种常用方法(修正的无规元素等位移模型、虚晶近似和简化相干势近似等)对纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合结果,再选用与实验数据接近的拟合方法,结合介电连续和单轴晶体模型导出含纤锌矿三元混晶InxGa1-xN和AlxGa1-xN单量子阱各类光学声子模的色散关系,进一步分析了声子模随组分的变化.结果表明,修正的无规元素等位移模型对单模性纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合更接近实验数据.由于声子色散的各向异性,量子阱各类光学声子模随组分而发生变化,声子的局域模、界面模、半空间模以及传播模存在于特定组分和频率范围内,且同种声子模色散关系的形态也随组分而改变.

稀土掺杂CdTe太阳电池背接触层ZnTe的第一性原理研究

结合CdS/CdTe太阳电池背接触层的制备要求考虑,利用基于密度泛函理论平面波超软赝势方法和广义梯度近似,计算了未掺杂ZnTe、稀土Y、Gd掺杂ZnTe的能带和电子态密度,得到了不同体系下系统总能和晶格常数.研究表明,稀土Y和Gd掺杂后ZnTe结构的稳定性均提高,掺杂Y使ZnTe与CdTe的晶格匹配更好.计算表明,掺杂可使载流子发生简并,掺Y比掺Gd电子有效质量小,掺Y与掺Gd的载流子浓度数量级相同.根据计算结果分析了稀土掺杂对ZnTe背接触层的影响.

Dy掺杂对ZnSe薄膜微结构的影响

利用真空蒸发的方法制备ZnSe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了Dy的掺杂。用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征。结果表明,当Zn、Se原子配比为0.9∶1时可制备较理想的ZnSe多晶薄膜,稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但掺杂使薄膜的晶格常数及晶胞体积略有增大,还使得薄膜的晶粒尺寸及压应力变小,掺杂后薄膜的光透射性得到改善。