物理冶金多晶硅太阳电池叠层钝化减反射结构模拟

采用PC1D模拟软件对p型物理冶金多晶硅太阳电池的SiO2/SiNx/SiNx叠层钝化减反射结构进行了计算模拟。结果表明：在SiN x/SiN x双层减反射结构中引入SiO 2钝化层后可以明显改善电池的外量子效率与表面减反射效果，并最终提高电池转换效率；随着SiO 2膜厚度的增加，电池表面反射率呈先降低后增加的趋势，而电池外量子效率及转换效率则呈现出相反的趋势。二氧化硅膜厚度在2~8 nm时，电池转换效率变化不大，并在6 nm时效率达到最大值18.04%，当二氧化硅膜厚度大于8 nm后电池转换效率会出现明显下降。

直拉单晶硅生长过程中的控氧技术研究及标准

由于单晶硅氧含量及其均匀性既能显著影响各种硅基器件的性能,又是一种难以控制的硅晶体生长参数.通过研究能够分析出直拉单硅晶生产中氧杂质引入机理及其对晶体质量影响的基础上,进一步的讲述通过对氩气流量以及炉内压力、埚位、晶体转速和坩埚转速等拉晶等条件的改变,以及采用相应的磁拉技术来控制晶体中氧含量及分布均匀性,提高晶体质量.