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铸造铝硅合金及其热处理工艺的研究与进展
被引量:
8
1
作者
杨永福
闫亮明
《铸造工程》
2022年第3期43-48,共6页
概述了铸造铝硅合金及合金元素对其组织和性能的影响,介绍了固溶处理、时效处理等热处理工艺的特点、原理及其对铝硅合金组织与性能的影响。指出了现阶段合金元素的调控及热处理存在的不足以及实际应用中存在的问题,同时提出了未来合金...
概述了铸造铝硅合金及合金元素对其组织和性能的影响,介绍了固溶处理、时效处理等热处理工艺的特点、原理及其对铝硅合金组织与性能的影响。指出了现阶段合金元素的调控及热处理存在的不足以及实际应用中存在的问题,同时提出了未来合金元素调控和热处理工艺研究改进的方向。
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关键词
铸造铝硅合金
合金元素
热处理
性能优化
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职称材料
Cl^-对镁-铝合金β相模型合金表面膜稳定性的影响
2
作者
贾瑞灵
吴承斌
+1 位作者
严川伟
王福会
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期466-471,共6页
采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较...
采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较低时,β相表面膜的半导体类型为P型,P型半导体膜是一种阳离子导体膜,Cl-很难通过迁移扩散的方式穿过表面膜.随着Cl-浓度的增大,β相表面膜的半导体类型转变为N型,N型半导体膜便于Cl-穿越膜层到达膜层底部,继续腐蚀金属并使表面膜发生破裂.
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关键词
镁-铝合金
氯离子
腐蚀
表面膜
原文传递
题名
铸造铝硅合金及其热处理工艺的研究与进展
被引量:
8
1
作者
杨永福
闫亮明
机构
内蒙古
工业
大学
材料
科学与工程学院
内蒙古工业大学内蒙古轻金属材料重点实验室
出处
《铸造工程》
2022年第3期43-48,共6页
基金
内蒙古自治区科技创新引导项目(KCBJ2018017)
国家自然科学基金项目(51764043)
+2 种基金
内蒙古自治区高等学校“青年科技英才支持计划”(NJYT-20-A16)
内蒙古自然科学基金(2020MS05061)
内蒙古自治区留学回区人员科技活动项目。
文摘
概述了铸造铝硅合金及合金元素对其组织和性能的影响,介绍了固溶处理、时效处理等热处理工艺的特点、原理及其对铝硅合金组织与性能的影响。指出了现阶段合金元素的调控及热处理存在的不足以及实际应用中存在的问题,同时提出了未来合金元素调控和热处理工艺研究改进的方向。
关键词
铸造铝硅合金
合金元素
热处理
性能优化
Keywords
casting aluminum silicon alloy
alloying element
heat treatment
performance optimization
分类号
TG146.21 [金属学及工艺—金属材料]
下载PDF
职称材料
题名
Cl^-对镁-铝合金β相模型合金表面膜稳定性的影响
2
作者
贾瑞灵
吴承斌
严川伟
王福会
机构
内蒙古工业大学内蒙古轻金属材料重点实验室
中国科学院
金属
研究所
金属
腐蚀与防护国家
重点
实验室
出处
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期466-471,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.50571105)
文摘
采用电化学阻抗测试技术(EIS)、Mott-Schottky方法对β相模型合金在Cl-溶液环境中形成的表面膜的稳定性和半导体特性进行研究.结果表明,Cl-浓度的增加,使β相表面膜形成和活化溶解的趋势均加剧,即表面膜的稳定性变差.原因在于Cl-浓度较低时,β相表面膜的半导体类型为P型,P型半导体膜是一种阳离子导体膜,Cl-很难通过迁移扩散的方式穿过表面膜.随着Cl-浓度的增大,β相表面膜的半导体类型转变为N型,N型半导体膜便于Cl-穿越膜层到达膜层底部,继续腐蚀金属并使表面膜发生破裂.
关键词
镁-铝合金
氯离子
腐蚀
表面膜
Keywords
magnesium-aluminum alloys
chloride ion
corrosion
surface films
分类号
TG146.2 [金属学及工艺—金属材料]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铸造铝硅合金及其热处理工艺的研究与进展
杨永福
闫亮明
《铸造工程》
2022
8
下载PDF
职称材料
2
Cl^-对镁-铝合金β相模型合金表面膜稳定性的影响
贾瑞灵
吴承斌
严川伟
王福会
《北京科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
已选择
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参考文献
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