一种新型腐蚀剂--醋酸钠溶液对单晶硅太阳电池表面织构化的作用

对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。选用了一种新型的腐蚀剂,即醋酸钠(CH3COONa)溶液,用来腐蚀单晶硅太阳电池。通过分别改变醋酸钠溶液的浓度、温度以及腐蚀时间对硅片表面进行腐蚀发现,经醋酸钠溶液腐蚀后在硅片表面形成腐蚀坑大小适中、分布均匀的绒面结构。在醋酸钠溶液的质量分数为20%、温度为95℃、时间为40min的条件下腐蚀单晶硅片,在波长为700～1000nm之间获得较低的平均表面反射率,且最佳平均反射率为12.14%。从实验结果和成本因素考虑,这种腐蚀剂的成本很低,不易污染环境且重复性好,有利于大规模工业化制绒。

纤锌矿In0．19Ga0．81N／GaN量子阱中光学声子和内建电场对束缚极化子结合能的影响

用改进的Lee-Low-Pines变分方法研究纤锌矿In0.19Ga0.81N/GaN量子阱结构中束缚极化子能量和结合能等问题,给出基态结合能、不同支长波光学声子对能量和结合能的贡献随阱宽和杂质中心位置变化的数值结果.在数值计算中包括了该体系中声子频率的各向异性和内建电场对能量和结合能的影响、以及电子和杂质中心与长波光学声子的相互作用.研究结果表明,In0.19Ga0.81N/GaN量子阱材料中光学声子和内建电场对束缚极化子能量和结合能的贡献很大,它们都引起能量和结合能降低.结合能随着阱宽的增大而单调减小,窄阱中减小的速度快,而宽阱中减小的速度慢.不同支声子对能量和结合能的贡献随着阱宽的变化规律不同.没有内建电场时,窄阱中,定域声子贡献小于界面和半空间声子贡献,而宽阱中,定域声子贡献大于界面和半空间声子贡献.有内建电场时,定域声子贡献变小,而界面和半空间声子贡献变大,声子总贡献也有明显变化.在In0.19Ga0.81N/GaN量子阱中,光学声子对束缚极化子能量和结合能的贡献比GaAs/Al0.19Ga0.81As量子阱中的相应贡献(约3.2—1.8和1.6—0.3 meV)约大一个数量级.阱宽(d=8 nm)不变时,在In0.19Ga0.81N/GaN量子阱中结合能随着杂质中心位置Z0的变大而减小,并减小的速度变快.随着Z0的增大,界面和半空间光学声子对结合能的贡献缓慢减小,而定域光学声子的贡献缓慢增大.

内建电场作用下纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中束缚极化子结合能和极化子能移随组分x的变化规律

用改进的Lee-Low-Pines(LLP)变分理论讨论了纤锌矿结构的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱体系中内建电场对束缚极化子结合能和极化子能移的影响,数值研究了基态能量和结合能、不同支光学声子对能量和结合能的贡献随Mg组分x变化的规律。计算中计入了体系的介电常数、电子的带有效质量和不同支光学声子频率等参数的各向异性,并同时考虑了长波光学声子与电子和杂质中心的相互作用。结果显示,该体系中,内建电场对结合能和极化子能移的影响显著,并且不同支光学声子对能量和结合能的贡献受内建电场的影响程度有所不同。内建电场增大了声子对能量的总贡献,而降低了声子对结合能的总贡献。在内建电场作用下,能量和结合能随x增大而急剧减小,而没有内建电场时,变化相对缓慢。计算结果还说明,组分x变大时,无论是否考虑内建电场,界面和定域声子对能量和结合能的贡献变大,半空间声子贡献变小,声子对能量的总贡献变大。而声子对结合能的总贡献则要视是否考虑内建电场而不同:有内建电场时变大,无内建电场时变小。同闪锌矿结构的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱相比,纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱体系中光学声子对极化子能量和结合能的影响更大,极化子能移更明显。