Ag(TCNQ)纳米晶须的生长机理

本文采用真空饱和蒸汽反应法在相对较低的温度下制备了一系列一维纳米结构的金属有机配合物Ag(TCNQ)。用多晶XRD谱表征了样品的成份和晶体结构 ,通过SEM观察到了不同生长阶段的形貌。纳米晶须的生长分别经历了溶解、结晶和单向生长三个阶段。在此基础上 。

Ag(TCNQ)纳米线的制备和电学特性研究

提出了一种新的制备有机金属配合物纳米线的方法,即饱和蒸气反应法,并解释了它的生长机理。用这种方法制备的Ag(TCNQ)[TCNQ,tetracyanoquinodimethane]纳米线(棒)基本垂直于基板。截面近似呈方形,边长<100nm,长度(高度)可控,生长温度低(≤120℃),因而在实际应用过程中容易与其它工艺兼容。在STM针尖和导电AFM针尖电场作用下这种纳米线(棒)具有电双稳特性,预期在纳米电子学方面有广泛的应用前景。