用微机控制的高分辨率三晶体X射线衍射仪究研GaInP外延层的超结构

本文介绍自制具有极高分辨率的微机控制的三晶体X射线衍射仪。利用这台仪器测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In_(0.48)P外延层的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In_(0.48)P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(111)平面中,存在着交替的In丰与Ga丰平面。这种In丰与Ga丰的附加浓度可达4～6%。