覆盖Si_3N_4层和栅氧化物氮化对晶体管的影响

研究了在各种各样的晶体管中高于最低限度的坡面外层上覆盖硅氮化物和栅氧化物被氮化的影响,同时制作出具有高、低压晶体管的硅晶片。当干燥氧化物和降低化学蒸汽的压力使之凝固的2个步骤(LPCVD)被用于厚栅氧化物时,薄栅氧化物被氮氧化改善。薄栅氧化物的厚度是4.5nm,厚栅氧化物的厚度为29nm。低压nMOS和pMOS不显示出任何驼峰,高压pMOS也一样。高压nMOS高于最低限度的驼峰取决于工艺条件。它表明没有覆盖硅氮化层的严重驼峰取决于经过LPCVD的内部涂层氧化沉淀后化学处理期间的湿度扩散。这说明,采用氮氧化物阻止水汽扩散防止驼峰的方法是有效的。