单晶硅太阳电池黑角问题的研究

用电致发光(EL)技术检测P型常规单晶硅太阳电池,发现角部发黑问题。研究其与电池制造工艺或单晶硅材料的相关性,测试正常和黑角电池片的电性能参数发现黑角电池光电转换效率低于19.90%。经腐蚀剥离电池分析基底单晶硅材料,发现黑角处材料的少子寿命比中心位置处低约50μs以上。用Schimmel A择优腐蚀液剥离黑角电池,在黑角位置的硅材料明显出现位错缺陷,且缺陷数量高于中心区域。经多项实验检测分析,初步得出EL测试出现黑角边问题的单晶硅电池与基底硅材料的原生缺陷有关。

直拉单晶硅生长过程中的控氧技术研究及标准

由于单晶硅氧含量及其均匀性既能显著影响各种硅基器件的性能,又是一种难以控制的硅晶体生长参数.通过研究能够分析出直拉单硅晶生产中氧杂质引入机理及其对晶体质量影响的基础上,进一步的讲述通过对氩气流量以及炉内压力、埚位、晶体转速和坩埚转速等拉晶等条件的改变,以及采用相应的磁拉技术来控制晶体中氧含量及分布均匀性,提高晶体质量.