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纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究
被引量:
3
1
作者
王文青
陈晓伟
+3 位作者
高军
韩晓英
宋淑芳
赵金茹
《理化检验(物理分册)》
CAS
2003年第1期19-21,共3页
用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO...
用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。
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关键词
掺磷
俄歇分析
纳米ZNO薄膜
电学性质
掺硼
氧化锌薄膜
扩散温度
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职称材料
题名
纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究
被引量:
3
1
作者
王文青
陈晓伟
高军
韩晓英
宋淑芳
赵金茹
机构
中国兵器工业第五二研究所
包头蓝亚光电科技有限公司
中国科学院半导体研究所
出处
《理化检验(物理分册)》
CAS
2003年第1期19-21,共3页
文摘
用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。
关键词
掺磷
俄歇分析
纳米ZNO薄膜
电学性质
掺硼
氧化锌薄膜
扩散温度
Keywords
SAM analysis
Nano-ZnO thin film
Electrical property
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究
王文青
陈晓伟
高军
韩晓英
宋淑芳
赵金茹
《理化检验(物理分册)》
CAS
2003
3
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职称材料
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参考文献
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