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纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究 被引量:3
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作者 王文青 陈晓伟 +3 位作者 高军 韩晓英 宋淑芳 赵金茹 《理化检验(物理分册)》 CAS 2003年第1期19-21,共3页
用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO... 用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响。结果表明 ,ZnO薄膜掺入磷或硼后 ,可以显著降低薄膜电阻 ;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度 ,从而改变Zn/O化学计量比 ,Zn/O化学计量比越大 ,薄膜电阻越小 ;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为 85 0℃和 80 0℃。 展开更多
关键词 掺磷 俄歇分析 纳米ZNO薄膜 电学性质 掺硼 氧化锌薄膜 扩散温度
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